[发明专利]一种柔性封装基板制作方法在审
申请号: | 201410180329.0 | 申请日: | 2014-05-03 |
公开(公告)号: | CN104008978A | 公开(公告)日: | 2014-08-27 |
发明(设计)人: | 尹红桥 | 申请(专利权)人: | 尹红桥 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H05K3/46 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 274500 *** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 柔性 封装 制作方法 | ||
1.制作高性能电子封装基板的方法,包括中心层、介质层及同一层次导电层和不同层间导电层的制作等,具体步骤如下。
2.(一)、提供一卷带式的中心层,中心层可由铜或铜合金、钢或钢合金,厚度约20-100um,其可在后工序通过湿法工艺蚀刻;(二)在所述中心层一侧形成第一层介质层;(三)在所述第一介质层上制作同一层次导电层和不同层间导电层,同一层次导电层和不同层间导电层被第二介质层包裹,不同层间导电层贯穿于或埋于第二介质层;(四)去除所述中心层;(五)在所属第二介质层上形成第二同一层次导电层;(六)在所属第一、第二同一层次导电层上双面制作不同层间导电层,并在不同层间导电层上双面制作介质层(七)在介质层两端通过干法或湿法工艺连接不同的同一层次导电层,即不同层次间导电层。
3.根据权利要求所述的方法,中心层包括介质层和铜或铜合金、钢或钢合金,厚度约20-100um,其可在后工序通过湿法工艺蚀刻,其中介质层为热固型有机聚合树脂类绝缘层,可选用可选用酚醛树脂(Phenolic)、环氧树脂(Epoxy)、聚苯醚(PPO)、双顺丁烯二酸酰亚胺/三嗪树脂(BT Triazine and/or Bismaleimide)、聚酰亚胺(Polyimide)、氰酸酯(Cyanate Ester)、聚四氟乙烯(PTFE,Poly Tetra Fluoro Ethylene, Teflon)、聚烯烃(Hydrocarbon)、聚脂(Polyester)及热塑树脂(Thermoplastics)、通过改变树脂体系,使用非溴基的树脂实现、以及上述材料的混合物,呈液态状,可通过涂覆的方式覆盖于中心层上,经烘烤固化,固化后厚度约5-10um,后续经湿法蚀刻工序去除。
4.根据权利要求所述的方法,步骤(一)(二)可选用一侧形成绝缘聚合物层金属,或者通过热压方式贴合的可分离双绝缘聚合物层。
5.且步骤(四)可通过蚀刻金属和介质层或热分离方式完成。
6.根据权利要求所述的方法,其中步骤(二)中的介质层厚度至少为2um且不大于5um。
7.根据权利要求所述的方法,在以上步骤中同一层次导电层和不同层间导电层;包括使用选自电镀或化学镀技术沉积的铜。
8.根据权利要求所述的方法,在以上步骤中同一层次导电层和不同层间导电层贯穿或埋于介质层中;介质层制作使用液态聚合物绝缘层涂覆于同一层次导电层和不同层间导电层之间,经过涂覆、固化途径填充,并使用物理和化学方法减低介质层厚度。
9.根据权利要求所述的方法,所述介质层包括由聚合物树脂构成的基体材料,所述聚合物树脂包括:热塑性塑料、热固性塑料及上述两种塑料的混合物,例如酚醛树脂(Phenolic)、环氧树脂(Epoxy)、聚苯醚(PPO)、双顺丁烯二酸酰亚胺/三嗪树脂(BT Triazine and/or Bismaleimide)、聚酰亚胺(Polyimide)、氰酸酯(Cyanate Ester)、聚四氟乙烯(PTFE,Poly Tetra Fluoro Ethylene, Teflon)、聚烯烃(Hydrocarbon)、聚脂(Polyester)及热塑树脂(Thermoplastics)、通过改变树脂体系,使用非溴基的树脂实现、以及上述材料的混合物。
10.根据权利要求所述的方法,第一、第二、第三介质层通过高温固化方式完成,单纯加热到250℃~300℃完全固化。
11.一种实质上通过权利要求的方法形成的电子封装基板,实质上包括:多层传导层和绝缘层的封装基板;导电层包括金属性材料;介质层包括聚合物基体材料;其中不同层间导电层贯穿介质层,连接同一层次导电层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造