[发明专利]一种低压全差分运算放大器电路

权利要求书

1.一种低压全差分运算放大器电路，其特征在于，包括：偏置电路(11)、与所述偏置电路(11)连接的两级全差分运算放大器(12)以及与所述两级全差分运算放大器(12)连接的共模反馈电路(13)；其中，

所述偏置电路(11)为所述两级全差分运算放大器(12)提供偏置电压；

所述共模反馈电路(13)用于稳定共模输出电压。

2.根据权利要求1所述的低压全差分运算放大器电路，其特征在于，所述两级全差分运算放大器包括第一级差分放大器以及与所述第一级差分放大器连接的第二级运算放大器。

3.根据权利要求2所述的低压全差分运算放大器电路，其特征在于，所述第一级差分放大器包括：第一N型MOS管(MN1)、第二N型MOS管(MN2)、第一P型MOS管(MP1)、第二P型MOS管(MP2)以及第三P型MOS管(MP3)；其中，

所述第一N型MOS管(MN1)和所述第二N型MOS管(MN2)的源极均接地，所述第一N型MOS管(MN1)的栅极和所述第二N型MOS管(MN2)的栅极相连；

所述第一N型MOS管(MN1)的漏极与所述第一P型MOS管(MP1)的漏极连接，并在连接处输出第一级正向输出电压；

所述第二N型MOS管(MN2)的漏极与所述第二P型MOS管(MP2)的漏极连接，并在连接处输出第一级负向输出电压；

所述第一P型MOS管(MP1)的栅极接正向输入(V_in+)，所述第一P型MOS管(MP1)的源极接所述第三P型MOS管(MP3)的漏极；

所述第二P型MOS管(MP2)的栅极接负向输入(V_in-)，所述第二N型MOS管(MN2)的源极接所述第三P型MOS管(MP3)的漏极；

所述第三P型MOS管(MP3)的源极接电源(V_DD)，栅极接偏置电压(V_b1)。

4.根据权利要求3所述的低压全差分运算放大器电路，其特征在于，所述第二级运算放大器包括：第三N型MOS管(MN3)、第四N型MOS管(MN4)、第四P型MOS管(MP4)以及第五P型MOS管(MP5)；其中，

所述第三N型MOS管(MN3)的栅极接第一级负向输出电压，源极接地，漏极与所述第四P型MOS管(MP4)的漏极连接，并在连接处输出第二级负向输出电压(V_O-)；

所述第四P型MOS管(MP4)的漏极还连接第一电容(C1)的一端，所述第一电容(C1)的另一端接地；

所述第四P型MOS管(MP4)的源极接电源(V_DD)，栅极接偏置电压(V_b1)；

所述第四N型MOS管(MN4)的栅极接第一级正向输出电压，源极接地，漏极与所述第五P型MOS管(MP5)的漏极连接，并在连接处输出第二级正向输出电压(V_O+)；

所述第五P型MOS管(MP5)的漏极还连接第二电容(C2)的一端，所述第二电容(C2)的另一端接地；

所述第五P型MOS管(MP5)的源极接电源(V_DD)，栅极接偏置电压(V_b1)。

5.根据权利要求4所述的低压全差分运算放大器电路，其特征在于，所述第一P型MOS管(MP1)的漏极和所述第四N型MOS管(MN4)的漏极以及所述第二P型MOS管(MP2)的漏极和所述第三N型MOS管(MN3)的漏极之间分别串联一个补偿电阻(R_C)和一个补偿电容(C_C)。

6.根据权利要求5所述的低压全差分运算放大器电路，其特征在于，所述共模反馈电路包括：共模电压检测电路以及与所述共模电压检测电路连接的误差放大器。