[发明专利]芯片中静态电流失效器件的检测方法和装置有效

专利信息
申请号: 201410182150.9 申请日: 2014-04-30
公开(公告)号: CN105092995B 公开(公告)日: 2017-11-14
发明(设计)人: 潘建峰;赖李龙 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: G01R31/00 分类号: G01R31/00;G01R31/28
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 骆苏华
地址: 100176 北京市大兴*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 芯片 静态 电流 失效 器件 检测 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种芯片中静态电流失效器件的检测方法,其特征在于,包括:

判定所述芯片中是否存在静态电流失效器件;

当所述芯片中存在静态电流失效器件时,检测所述芯片中的热点位置;

当所述热点有至少两个时,根据所述热点在电路版图文件中的位置信息,选取所述热点的共同电路路径;

将所述共同电路路径的版图转换为对应的电路图,并将所述热点位置标识于所述电路图的对应位置;

检测所述热点在所述电路图中的共通器件;

在所述电路版图中标识所述共通器件的位置作为所述静态电流失效器件的位置;

所述根据所述热点在电路版图文件中的位置信息,选取所述热点的共同电路路径包括:

根据所述热点在电路版图文件中的位置信息,获取所述热点在所述版图文件上共通的接地管脚和电源管脚,并以所述接地管脚和所述电源管脚为边界范围,于电路版图中获取所述热点的共同电路路径。

2.如权利要求1所述的芯片中静态电流失效器件的检测方法,其特征在于,所述判定所述芯片中是否存在静态电流失效器件包括:

当所述芯片的电流输出值与标准芯片的电流输出值相比,大于第一预设值或小于第二预设值时,判定所述芯片中存在静态电流失效器件。

3.如权利要求2所述的芯片中静态电流失效器件的检测方法,其特征在于,所述检测芯片中的热点位置包括:

当所述芯片的电流输出值与标准芯片的电流输出值相比,大于第一预设值时,通过镭射光束诱发阻抗值变化测试检测所述芯片中的热点位置。

4.如权利要求2所述的芯片中静态电流失效器件的检测方法,其特征在于,所述检测芯片中的热点位置包括:

当所述芯片的电流输出值与标准芯片的电流输出值相比,小于第一预设值时,通过微光显微镜检测所述芯片中的热点位置。

5.如权利要求1所述的芯片中静态电流失效器件的检测方法,其特征在于,所述检测所述热点在所述电路图中的共通器件之后,还包括:根据所述电路图所示电路的电流电压测试数据,以及器件发光机制数据,判定所述共通器件的失效模式。

6.如权利要求5所述的芯片中静态电流失效器件的检测方法,其特征在于,所述器件发光机制数据包括:器件类型以及对应的漏电原理机制数据。

7.如权利要求1所述的芯片中静态电流失效器件的检测方法,其特征在于,所述在所述电路版图中标识所述失效器件的位置之后还包括:对所述失效器件在所述电路版图中的位置进行物理失效分析。

8.一种芯片中静态电流失效器件的检测装置,其特征在于,包括:

第一判定单元,用于判定所述芯片中是否存在静态电流失效器件;

第一检测单元,用于当所述芯片中存在静态电流失效器件时,检测所述芯片中的热点位置;

选取单元,用于当所述热点有至少两个时,根据所述热点在电路版图文件中的位置信息,选取所述热点的共同电路路径;

转换单元,用于将所述共同电路路径的版图转换为对应的电路图;

第一标识单元,用于将所述热点位置标识于所述电路图的对应位置;

第二检测单元,用于检测所述热点在所述电路图中的共通器件;

第二标识单元,用于在所述电路版图中标识所述共通器件的位置作为所述静态电流失效器件的位置;

所述选取单元包括:

第一选取子单元,用于根据所述热点在电路版图文件中的位置信息,获取所述热点在所述版图文件上共通的接地管脚和电源管脚;

第二选取子单元,用于以所述接地管脚和所述电源管脚为边界范围,于电路版图中获取所述热点的共同电路路径。

9.如权利要求8所述的芯片中静态电流失效器件的检测装置,其特征在于,

所述第一判定单元包括:

判定子单元,用于当所述芯片的电流输出值与标准芯片的电流输出值相比,大于第一预设值或小于第二预设值时,判定所述芯片中存在静态电流失效器件。

10.如权利要求9所述的芯片中静态电流失效器件的检测装置,其特征在于,所述第一检测单元包括:

第一检测子单元,用于当所述芯片的电流输出值与标准芯片的电流输出值相比,大于第一预设值时,通过镭射光束诱发阻抗值变化测试检测所述芯片中的热点位置。

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