[发明专利]芯片中静态电流失效器件的检测方法和装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种检测技术，尤其涉及一种芯片中静态电流失效器件的检测方法和装置。

背景技术

在产品的良率测试中，静态电流失效是一种非常常见的失效类型。随着技术节点的演进，器件尺寸越小，而静态电流则越大。对于低功耗的产品，静态电流的要求非常严格。比如应用到手机或者笔记本电脑等需要电池供电的电子产品，如果静态电流很大，那么待机时间就会相应缩短，产品的竞争力也会减弱。对于由静态电流大导致的失效检测，通常是首先确定失效位置，然后再进行物理失效分析(Physical Failure Analysis，PFA)。随着半导体技术的演进、电路集成度的提高以及对静态电流的要求越来越高，由于静态电流导致的物理失效位置很难被检测发现。

现有的检测方法是根据热点(hotspot)测试的位置找到版图中的对应位置，再通过芯片去层(delayer)进行物理验证分析，以找出失效点。在很多情况下，在失效芯片上可以找出很多共同热点，但是，如果直接进行芯片去层，是无法找到失效点的。这是由于多个共同热点的位置其实并不是实际发生失效的失效点的所在位置，而只是受到失效点影响的电路。

发明内容

本发明实施例解决的问题是如何准确检测出产生静态电流失效的失效器件，并节省检测时间。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种芯片中静态电流失效器件的检测方法，包括判定所述芯片中是否存在静态电流失效器件；当所述芯片中存在静态电流失效器件时，检测所述芯片中的热点位置；当所述热点有至少两个时，根据所述热点在电路版图文件中的位置信息，选取所述热点的共同电路路径；将所述共同电路路径的版图转换为对应的电路图，并将所述热点位置标识于所述电路图的对应位置；检测所述热点在所述电路图中的共通器件；在所述电路版图中标识所述共通器件的位置作为所述静态电流失效器件的位置。

可选的，所述判定所述芯片中是否存在静态电流失效器件包括：当所述芯片的电流输出值与标准芯片的电流输出值相比，大于第一预设值或小于第二预设值时，判定所述芯片中存在静态电流失效器件。

可选的，所述检测芯片中的热点位置包括：当所述被测试芯片的电流输出值与标准芯片的电流输出值相比，大于第一预设值时，通过镭射光束诱发阻抗值变化测试检测所述芯片中的热点位置。

可选的，所述检测芯片中的热点位置包括：当所述被测试芯片的电流输出值与标准芯片的电流输出值相比，小于第一预设值时，通过微光显微镜检测所述被测试芯片中的热点位置。

可选的，所述根据所述热点在电路版图文件中的位置信息，选取所述热点的共同电路路径包括；根据所述热点在电路版图文件中的位置信息，获取所述热点在所述版图文件上共通的接地管脚和电源管脚，并以所述接地管脚和所述电源管脚为边界范围，于电路版图中获取所述热点的共同电路路径。

可选的，所述检测所述热点在所述电路图中的共通器件之后，还包括：根据所述电路图所示电路的电流电压测试数据，以及器件发光机制数据，判定所述共通器件的失效模式。

可选的，所述器件发光机制数据包括：器件类型以及对应的漏电原理机制数据。

可选的，所述在所述电路版图中标识所述失效器件的位置之后还包括：对所述失效的共通器件在所述电路版图中的位置进行物理失效分析。

本发明实施例还提供了一种芯片中静态电流失效器件的检测装置，包括：第一判定单元，用于判定所述芯片中是否存在静态电流失效器件；第一检测单元，用于当所述芯片中存在静态电流失效器件时，检测所述芯片中的热点位置；选取单元，用于当所述热点有至少两个时，根据所述热点在电路版图文件中的位置信息，选取所述热点的共同电路路径；转换单元，用于将所述共同电路路径的版图转换为对应的电路图；第一标识单元，用于将所述热点位置标识于所述电路图的对应位置；第二检测单元，用于检测所述热点在所述电路图中的共通器件；第二标识单元，用于在所述电路版图中标识所述共通器件的位置作为所述静态电流失效器件的位置。

可选的，所述第一判定单元包括：所述第一判定单元包括：判定子单元，用于当所述芯片的电流输出值与标准芯片的电流输出值相比，大于第一预设值或小于第二预设值时，判定所述芯片中存在静态电流失效器件。

可选的，所述第一检测单元包括：第一检测子单元，用于当所述被测试芯片的电流输出值与标准芯片的电流输出值相比，大于第一预设值时，通过镭射光束诱发阻抗值变化测试检测所述芯片中的热点位置。