[发明专利]显示基板的制造方法和显示基板

权利要求书

1.一种显示基板的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底基板的上方形成有源层图形；

在所述有源层图形的上方形成栅极；

对所述有源层图形进行轻掺杂形成轻掺杂区域和多晶硅区域，所述轻掺杂区域位于所述栅极的两侧，所述多晶硅区域位于所述栅极的下方；

通过形成于所述轻掺杂区域上方的第一过孔对所述轻掺杂区域进行重掺杂形成重掺杂区域和轻掺杂漏区，所述轻掺杂漏区位于所述重掺杂区域和所述多晶硅区域之间；

在所述重掺杂区域之上形成源漏极图形，所述源漏极图形通过所述第一过孔与所述重掺杂区域连接。

2.根据权利要求1所述的显示基板的制造方法，其特征在于，所述对所述有源层图形进行轻掺杂形成轻掺杂区域和多晶硅区域包括：

以所述栅极为掩体，对所述有源层图形进行轻掺杂形成轻掺杂区域和多晶硅区域。

3.根据权利要求1或2所述的显示基板的制造方法，其特征在于，所述对所述有源层图形进行轻掺杂形成轻掺杂区域和多晶硅区域包括：采用混合气体对所述有源层图形进行轻掺杂形成轻掺杂区域和多晶硅区域，所述混合气体为PH3和H2的混合气体，PH3和H2的比例为5％至15％，所述混合气体的压强为30mTorr至60mTorr。

4.根据权利要求1所述的显示基板的制造方法，其特征在于，所述通过形成于所述轻掺杂区域上方的第一过孔对所述轻掺杂区域进行重掺杂形成重掺杂区域和轻掺杂漏区包括：采用混合气体通过形成于所述轻掺杂区域上方的第一过孔对所述轻掺杂区域进行重掺杂形成重掺杂区域和轻掺杂漏区，所述混合气体为PH3和H2的混合气体，PH3和H2的比例为5％至15％，所述混合气体的压强为90mTorr至150mTorr。

5.根据权利要求1所述的显示基板的制造方法，其特征在于，所述在衬底基板的上方形成有源层图形之后还包括：

在所述有源层图形之上形成第一绝缘层；

所述对所述有源层图形进行轻掺杂形成轻掺杂区域和多晶硅区域之后还包括：

在所述栅极之上形成第二绝缘层；

在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上形成所述第一过孔。

6.根据权利要求1所述的显示基板的制造方法，其特征在于，所述轻掺杂漏区的长度L3＝L1-L2，其中，L1为所述轻掺杂区域的长度，L2为所述重掺杂区域的长度。

7.根据权利要求1所述的显示基板的制造方法，其特征在于，还包括：

在所述源漏极图形之上形成钝化层；

在所述钝化层上形成第二过孔；

在所述钝化层之上形成像素电极，所述像素电极通过所述第二过孔与所述源漏极图形连接。

8.根据权利要求1所述的显示基板的制造方法，其特征在于，所述在衬底基板的上方形成有源层图形之前还包括：

在所述衬底基板上形成第一缓冲层；

在所述第一缓冲层上形成第二缓冲层。

9.根据权利要求1所述的显示基板的制造方法，其特征在于，所述在衬底基板的上方形成有源层图形包括：

在衬底基板的上方形成非晶硅层；

对所述非晶硅层进行激光退火处理，形成多晶硅层；

对所述多晶硅层进行构图工艺，形成所述有源层图形。

10.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板采用上述权利要求1至9任一所述的显示基板的制造方法制成。