[发明专利]显示基板的制造方法和显示基板

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板的制造方法和显示基板。

背景技术

低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，简称：LTPS)技术由于具有迁移率高等优点受到越来越多的重视。随着显示技术的发展，LTPS技术凭借其高效能和高清晰的特点，得到了越来越广泛的应用，特别是对于较高的每英寸所拥有的像素(Pixels per inch，简称：PPI)产品。采用LTPS技术制成薄膜晶体管的过程中，需要执行将非晶硅(a-Si)转换为多晶硅(p-si)的工艺。在将a-Si转换为p-Si时，产生的晶界会造成漏电流的增加。为解决上述问题，可在源漏极图形之间的栅极两侧设置轻掺杂漏区(Lightly Doped Drain，简称：LDD)，该LDD的作用等同于串联一大电阻，从而减小了漏电流的形成，并且该LDD的长度决定了漏电流的大小。

图1a为现有技术中制造显示基板的一种示意图，如图1a所示，在制造显示基板的过程中，首先在衬底基板1上依次形成第一缓冲层2、第二缓冲层3、有源层图形以及位于有源层图形之上的第一绝缘层5，而后在第一绝缘层5上形成栅极金属层，对栅金属层进行光刻胶涂覆、曝光、显影和刻蚀，形成栅极6和位于栅极6之上的剩余光刻胶14，由于对栅金属层进行刻蚀时存在横向缩进量，因此刻蚀工艺后，剩余光刻胶14的宽度大于栅极6的宽度；以栅极6及位于栅极6上方的剩余光刻胶14为掩体，通过第一绝缘层5对有源层图形进行重掺杂处理形成重掺杂区域43和有源层区域45。图1b为现有技术中制造显示基板的另一种示意图，如图1b所示，然后对剩余光刻胶14进行灰化(ashing)工艺，去除部分的剩余光刻胶14，形成部分剩余光刻胶15，其中，灰化掉的剩余光刻胶14可包括位于栅极6两侧上方的剩余光刻胶14以及位于栅极6正上方的一部分剩余光刻胶14；再以部分剩余光刻胶15和栅极6为掩体，通过第一绝缘层5对有源层区域45进行轻掺杂形成轻掺杂漏区44和多晶硅区域42。而后，通过剥离工艺去除部分剩余光刻胶15，并在栅极6的上方依次形成源漏极图形和像素电极，此处不再具体画出。

现有技术中，位于栅极6两侧上方的剩余光刻胶14对应于轻掺杂漏区44，因此需要通过灰化(ashing)工艺去除位于栅极6两侧上方的剩余光刻胶14，并通过轻掺杂处理才能形成轻掺杂漏区44，也就是说，在灰化剩余光刻胶14的过程中，需要根据轻掺杂漏区44的长度控制灰化工艺中对剩余光刻胶14的去除量。因此，灰化掉位于栅极6两侧上方的剩余光刻胶14的多少决定了轻掺杂漏区44的长度。在通过灰化工艺去除剩余光刻胶14的过程中，受到灰化工艺本身的限制，会出现位于栅极6两侧上方的剩余光刻胶14的去除量难以控制的问题，这就导致通过灰化工艺难以精确控制轻掺杂漏区44的长度，从而造成显示基板上轻掺杂漏区44的长度不均匀的问题；由于重掺杂处理过程中，掺杂离子是通过第一绝缘层5到达有源层图形的多晶硅材料中，降低了掺杂速度，从而造成掺杂效率低。

发明内容

本发明提供一种显示基板的制造方法和显示基板，用于实现精确控制轻掺杂区域的长度以提高轻掺杂区域长度的均匀性，以及提高掺杂效率。

为实现上述目的，本发明提供了一种显示基板的制造方法，包括：

在衬底基板的上方形成有源层图形；

在所述有源层图形的上方形成栅极；

对所述有源层图形进行轻掺杂形成轻掺杂区域和多晶硅区域，所述轻掺杂区域位于所述栅极的两侧，所述多晶硅区域位于所述栅极的下方；

通过形成于所述轻掺杂区域上方的第一过孔对所述轻掺杂区域进行重掺杂形成重掺杂区域和轻掺杂漏区，所述轻掺杂漏区位于所述重掺杂区域和所述多晶硅区域之间；

在所述重掺杂区域之上形成源漏极图形，所述源漏极图形通过所述第一过孔与所述重掺杂区域连接。

可选地，所述对所述有源层图形进行轻掺杂形成轻掺杂区域和多晶硅区域包括：

以所述栅极为掩体，对所述有源层图形进行轻掺杂形成轻掺杂区域和多晶硅区域。

可选地，所述对所述有源层图形进行轻掺杂形成轻掺杂区域和多晶硅区域包括：采用混合气体对所述有源层图形进行轻掺杂形成轻掺杂区域和多晶硅区域，所述混合气体为PH3和H2的混合气体，PH3和H2的比例为5％至15％，所述混合气体的压强为30mTorr至60mTorr。