[发明专利]用于工艺调整的在公共衬底的电子芯片中的可去除指示器结构

权利要求书

1.一种处理多个封装的电子芯片的方法，所述多个封装的电子芯片在公共衬底中彼此连接，所述方法包括：

蚀刻所述电子芯片；

检测指示在指示器结构的暴露之后的、所述指示器结构的至少部分去除的信息，所述指示器结构被嵌入在所述电子芯片的至少一部分内并且在所述蚀刻已经去除在所述指示器结构上方的芯片材料之后被暴露；以及

在检测到指示所述指示器结构的所述至少部分去除的所述信息之后调整所述处理，

其中检测所述信息包括分析在所述电子芯片的环境中的挥发性物质，所述挥发性物质受到通过所述蚀刻从所述电子芯片去除所述指示器结构的材料生成的蚀刻产物的影响。

2.根据权利要求1所述的方法，其中分析的所述挥发性物质是用于等离子体蚀刻并且被所述指示器结构的所述至少部分去除修改的等离子体。

3.根据权利要求2所述的方法，其中分析所述等离子体通过由光发射光谱法和相干反斯托克斯拉曼散射法构成的组中的至少一项来执行。

4.根据权利要求1所述的方法，其中分析的所述挥发性物质是在通过等离子体蚀刻去除所述指示器结构的材料时生成的废气。

5.根据权利要求4所述的方法，其中分析所述废气通过由光发射光谱法和质谱法构成的组中的至少一项来执行。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述指示器结构包括由掺杂剂、注入材料和沉积层构成的组中的一项。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻是选择性蚀刻，使得所述指示器结构的材料的蚀刻速率不同于靠近所述指示器结构的材料的蚀刻速率。

8.根据权利要求1所述的方法，其中在所述公共衬底中彼此连接的所述多个封装的电子芯片包括被作为封装的模制结构分成所述电子芯片的半导体晶片。

9.根据权利要求1所述的方法，其中调整所述处理包括由以下各项构成的组中的至少一项：停止所述蚀刻、修改蚀刻速率、修改蚀刻参数、修改蚀刻工艺、以及利用相同的蚀刻条件或者利用修改的蚀刻条件继续所述蚀刻持续预定的附加蚀刻时间间隔。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述指示器结构是在所有电子芯片内被嵌入在恒定深度水平处的连续或不连续的指示器层。

11.根据权利要求1所述的方法，包括：

停止所述蚀刻；

随后单片化所述电子芯片。

12.一种处理多个电子芯片的方法，所述多个电子芯片通过公共衬底彼此连接，所述方法包括：

同时等离子体蚀刻所述电子芯片；

在等离子体蚀刻的所述电子芯片的环境中检测挥发性物质，以由此导出指示了指示器层的暴露的信息，所述指示器层被嵌入在所述电子芯片内并且在所述蚀刻已经去除在所述指示器层上方的芯片材料之后被暴露，其中所述挥发性物质受到所述指示器层的所述暴露的影响；以及

在检测到所述指示器层的所述暴露之后调整所述等离子体蚀刻。

13.根据权利要求12所述的方法，其中处理所述多个电子芯片包括处理被模制结构封装的多个电子芯片。

14.一种用于处理多个封装的电子芯片的设备，所述多个封装的电子芯片在公共衬底中彼此连接，所述设备包括：

蚀刻装置，被配置用于蚀刻所述电子芯片；

检测装置，被配置用于检测指示在指示器结构的暴露之后的、所述指示器结构的至少部分去除的信息，所述指示器结构被嵌入在所述电子芯片的至少一部分内并且在所述蚀刻已经去除在所述指示器结构上方的芯片材料之后被暴露；以及

控制装置，被供应有检测的信息，并且被配置用于在检测到指示所述指示器结构的所述至少部分去除的所述信息之后调整所述处理，

其中所述检测装置被配置用于通过分析在所述电子芯片的环境中的挥发性物质来检测所述信息，挥发性物质受到通过所述蚀刻从所述电子芯片去除所述指示器结构的材料生成的蚀刻产物的影响。

15.根据权利要求14所述的设备，其中分析的所述挥发性物质是用于等离子体蚀刻并且被所述指示器结构的所述至少部分去除修改的等离子体。

16.根据权利要求14所述的设备，分析的所述挥发性物质是在通过等离子体蚀刻去除所述指示器结构的材料时生成的废气。

17.一种用于处理多个电子芯片的设备，所述多个电子芯片通过公共衬底彼此连接，所述设备包括：

等离子体蚀刻单元，被配置用于同时等离子体蚀刻所述电子芯片；

检测单元，被配置用于在等离子体蚀刻的所述电子芯片的环境中检测挥发性物质，以由此导出指示了指示器层的暴露的信息，所述指示器层被嵌入在所述电子芯片内并且在所述蚀刻已经去除在所述指示器层上方的芯片材料之后被暴露，其中所述挥发性物质受到所述指示器层的所述暴露的影响；以及

控制单元，被供应有所述信息并且被配置用于在检测到所述指示器层的所述暴露之后调整所述等离子体蚀刻。