[发明专利]对准标记的形成方法在审
| 申请号： | 201410184978.8 | 申请日： | 2014-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN103943464A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 徐元俊 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 对准 标记 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种对准标记的形成方法，其特征在于，包括：
提供已抛光处理的第一半导体衬底和第二半导体衬底；
在所述第一半导体衬底上形成图形及基准标记；
将所述第二半导体衬底与所述第一半导体衬底键合；
在所述第二半导体衬底的上形成开口，所述开口暴露出所述第一半导体衬底上的所述基准标记。
2.如权利要求1所述的对准标记的形成方法，其特征在于，所述第一半导体衬底上的图形及基准标记由光刻工艺及刻蚀工艺形成。
3.如权利要求1所述的对准标记的形成方法，其特征在于，所述第二半导体衬底的上形成的开口由刻蚀工艺形成。
4.如权利要求2或者3所述的对准标记的形成方法，其特征在于，所述刻蚀工艺采用的刻蚀方法为湿法刻蚀。
5.如权利要求2或者3所述的对准标记的形成方法，其特征在于，所述刻蚀工艺采用的刻蚀方法为等离子刻蚀。
6.如权利要求1所述的对准标记的形成方法，其特征在于，所述第一半导体衬底为单晶硅。
7.如权利要求2所述的对准标记的形成方法，其特征在于，所述第二半导体衬底为单晶硅。
8.如权利要求2所述的对准标记的形成方法，其特征在于，所述基准标记的数量为大于等于两个。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海先进半导体制造股份有限公司，未经上海先进半导体制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410184978.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
