[发明专利]对准标记的形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种对准标记的形成方法。

背景技术

在现今的集成电路制造过程中，制造一个完整的芯片一般要经过十几到二十几次的光刻。在这么多次光刻中，除了第一次光刻以外，其余层次的光刻在曝光前都要将该层次的图形与以前层次留下的图形对准，即对位过程。具体的，所谓的对位也就是定位，它实际上不是用半导体衬底上的图形与掩膜版上的图形直接对准来对位的，而是彼此独立的，即确定掩膜版的位置是一个独立的过程，确定半导体衬底的位置又是另一个独立的过程。现有技术采用方法中的对位原理是，在曝光台上有一对准标记，可以把它看作是定位用坐标系的原点，所有其它的位置都相对该点来确定的。分别将掩膜版和半导体衬底与该对准标记对准就可确定它们的位置。在确定了两者的位置后，掩膜版上的图形转移到半导体衬底上就是对准的。换句话说，通过曝光装置上的对准机构测量和确定掩模上的对准标记和半导体衬底表面上的对准标记之间的位置关系，以便对准标记相互匹配以达到对准。

但是，上述方法中主要利用双面光刻，实现的对准标记相互匹配以达到对准，其对准精度不是很高，造成集成电路中的不同电路元件将不能在半导体衬底表面上的特定位置处形成；同时，在双面光刻时还会造成半导体衬底的机械损伤，降低了成品良率。为了实现高精度的对准度，提高成品良率，本领域技术人员一直在寻找满足这一需求的解决方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种对准标记的形成方法，以解决使用现有技术中的对位过程中，由于采用双面光刻，引入对准偏差及机械损伤，从而导致产品良率低的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种对准标记的形成方法，所述对准标记的形成方法包括：

提供已抛光处理的第一半导体衬底和第二半导体衬底；

在所述第一半导体衬底上形成图形及基准标记；

将所述第二半导体衬底与所述第一半导体衬底键合；

在所述第二半导体衬底的上形成开口，所述开口暴露出所述第一半导体衬底上的所述基准标记。

可选的，在所述的对准标记的形成方法中，所述第一半导体衬底上的图形及基准标记由光刻工艺及刻蚀工艺形成。

可选的，在所述的对准标记的形成方法中，所述第二半导体衬底的上形成的开口由刻蚀工艺形成。

可选的，在所述的对准标记的形成方法中，所述刻蚀工艺采用的刻蚀方法为湿法刻蚀。

可选的，在所述的对准标记的形成方法中，所述刻蚀工艺采用的刻蚀方法为等离子刻蚀。

可选的，在所述的对准标记的形成方法中，所述第一半导体衬底为单晶硅。

可选的，在所述的对准标记的形成方法中，所述第二半导体衬底为单晶硅。

可选的，在所述的对准标记的形成方法中，所述基准标记的数量为大于等于两个。

在本发明所提供的对准标记的形成方法中，通过在所述第二半导体衬底的上形成开口，使得所述第一半导体衬底上的基准标记暴露出来，节省了现有的对位过程中需要采用双面光刻，引入对准偏差及机械损伤，导致产品良率低的问题，提高了对位的精准度及产品良率。

附图说明

图1A-1C是本发明一实施例中对准标记的形成方法中各个步骤的结构示意图；

图2是本发明一实施例中对准标记的形成方法中各个步骤的流程图。

在图1A-1C中，

第一半导体衬底-10；第二半导体衬底-20；图形-11；基准标记-12；开口21。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本发明提出的对准标记的形成方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

请参考图2，其为本发明一实施例中对准标记的形成方法中各个步骤的流程图。下面参考图2及图1A-1C详细说明本实施例所述的对准标记的形成方法。

首先，执行步骤S10，提供已抛光处理的第一半导体衬底10和第二半导体衬底20。

进一步地，请参考图1A，所述第一半导体衬底10及所述第二半导体衬底20均为单晶硅。

接着，执行步骤S20，在所述第一半导体衬底10上形成基准标记12。

具体的，在所述第一半导体衬底10上还形成有图形11，以便构成集成电路中不同电路元件打下基础。所述第一半导体衬底10上形成所述图形11的同时形成了基准标记12。

进一步地，所述基准标记的数量为大于等于两个。