[发明专利]一种检测青蒿素的分子印迹传感器的制备方法及应用

权利要求书

1.一种检测青蒿素的分子印迹传感器的制备方法，其特征是：在于该方法具有以下工艺步骤：

（1）纳米多孔碳修饰玻碳电极制备：将玻碳电极依次用0.3μm、0.05μmAl₂O₃粉末进行表面抛光，然后用高纯水超声清洗，用氮气吹干，在玻碳电极表面滴加5~10μL纳米多孔碳的N,N-二甲基甲酰胺分散液（0.5g/L），置于红外灯下，挥发干溶剂后，即得纳米多孔碳修饰玻碳电极；

（2）氧化纳米多孔碳的制备：在反应器中，按如下组成质量百分浓度加入35~65%浓硝酸，0.5~3%纳米多孔碳，0.5~2%硝酸钠，1.0~5%高锰酸钾，超声分散20~30min，再加入32~60%去离子水，各组分含量之和为百分之百，然后在70~80℃搅拌反应16 ~20 h，冷却至室温，过滤，用去离子水反复洗涤至滤液为中性，真空干燥，得到氧化纳米多孔碳；

（3）印迹溶胶的制备：在反应器中，按如下组成质量百分浓度加入，γ-巯丙基三乙氧基硅烷：6~20%，3-氨丙基三乙氧基硅烷：0.6~4.0%，2-乙氧基乙醚：55~78%，0.1 mol/LHCl：8~19%，去离子水：0.5~3.0%，氯铂酸：0.05~1.0%，搅拌1~2 h，再加入青蒿素：0.05~1.0%，各组分含量之和为百分之百，继续搅拌20~30min，即得印迹溶胶；

（4）检测青蒿素的分子印迹传感器的制备方法：取印迹溶胶于小烧杯中，将纳米多孔碳修饰玻碳电极放入其中，在-0.40~0.2V电位范围内，扫描速率为50mV/s，采用循环伏安法扫描20~30圈至扫描曲线稳定，再将该电极用去离子水反复浸泡，洗脱模板分子，即得检测青蒿素的分子印迹传感器。

2.根据权利要求1所述的一种检测青蒿素的分子印迹传感器的制备方法，其特征是：步骤（3）中所述的3-氨丙基三乙氧基硅烷与γ-巯丙基三乙氧基硅烷的摩尔比为1：9~11。

3.根据权利要求1中所述的一种检测青蒿素的分子印迹传感器的制备方法，其特征是：步骤（3）中所述的青蒿素与氯铂酸的摩尔比为1：1~2。

4.根据权利要求1中所述的一种检测青蒿素的分子印迹传感器的制备方法，其特征是：所制备的检测青蒿素的分子印迹传感器应用于青蒿素的检测，其检测步骤如下：

（1）标准溶液配制：配制一组包括空白标样在内的不同浓度的青蒿素标准溶液，底液为pH 6.5的磷酸盐缓冲溶液；

（2）工作曲线绘制：将Ag/AgCl为参比电极，铂丝电极为辅助电极，本发明制备的电极为工作电极组成三电极系统， 连接CHI660B电化学工作站，在K₃[Fe(CN)₆]溶液中，采用循环伏安法在-0.40~0.2V电位范围内进行检测，空白标样的响应电流记为I₀，含有不同浓度的青蒿素标准溶液的响应电流即为I_i ，响应电流降低的差值为△I=I₀-I_i，△I与青蒿素标准溶液的质量浓度c之间呈线性关系，绘制△I ~c工作曲线；

（3）青蒿素的检测：用待测样品代替步骤（1）中的青蒿素标准溶液，按照步骤（2）的方法进行检测，根据响应电流降低的差值△I和工作曲线，得到待测样品中青蒿素的含量。