[发明专利]一种刻蚀方法和阵列基板在审
| 申请号： | 201410187181.3 | 申请日： | 2014-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN103972075A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 卜倩倩;郭炜;任庆荣;王路;刘英伟 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 方法 阵列 | ||
1.一种刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括：
在基板上形成一层氧化铟锡ITO膜层；
在所述ITO膜层上形成一层光刻胶层；
在所述光刻胶层上方设置掩膜板，所述掩膜板不完全覆盖所述光刻胶层；
祛除所述光刻胶层中未被所述掩膜板覆盖的光刻胶；
采用湿法刻蚀工艺刻蚀掉所述ITO膜层中未被所述光刻胶层覆盖的所述ITO膜层；
采用干法刻蚀工艺刻蚀掉所述ITO膜层中未被所述光刻胶层覆盖的所述ITO膜层中通过所述湿法刻蚀工艺刻蚀后残留的ITO膜层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
祛除所述光刻胶层中通过所述湿法刻蚀工艺和所述干法刻蚀工艺刻蚀后剩余的光刻胶。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
根据干法刻蚀所采用的刻蚀设备，设置采用干法刻蚀工艺刻蚀所述ITO膜层时的所述刻蚀设备中的刻蚀条件满足预设条件。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，
所述基板上的所述ITO膜层的厚度大于预设膜厚。
5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述ITO膜层时，设置所述湿法刻蚀的刻蚀液的浓度小于或者等于预设浓度。
6.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
基板；
覆盖所述基板的ITO像素电极层，所述ITO像素电极层是采用湿法刻蚀工艺和干法刻蚀工艺相结合的工艺制程制作形成的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
