[发明专利]分离栅极闪存存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种分离栅极闪存存储器，包括：

元件隔离结构，设置于一基底中，以定义出一主动区；

第一掺杂区与第二掺杂区，分别设置于该基底的该主动区中；

选择栅极，设置于该基底中的一沟槽内，且该选择栅极的一侧邻接该第一掺杂区；

栅介电层，设置于该选择栅极与该基底之间；

浮置栅极，设置于该基底上，该浮置栅极的一侧与该第二掺杂区部分重叠，且该浮置栅极的一部分设置于该选择栅极上；以及

栅间介电层，设置于该浮置栅极与该选择栅极之间以及在该浮置栅极与该基底之间。

2.如权利要求1所述的分离栅极闪存存储器，其中在该沟槽中，该元件隔离结构的表面低于该基底的表面，该选择栅极的一部分呈鞍状而跨在该主动区上。

3.如权利要求1所述的分离栅极闪存存储器，其中在该沟槽中，该元件隔离结构之间的该主动区形成有凹口，该选择栅极的一部分呈鳍状而突出于该主动区中。

4.如权利要求1所述的分离栅极闪存存储器，其中该浮置栅极的一部分突出该选择栅极，且该浮置栅极突出该选择栅极的一转角具有尖锐的外型。

5.如权利要求1所述的分离栅极闪存存储器，其中该选择栅极的材质包括金属或掺杂多晶硅。

6.如权利要求1所述的分离栅极闪存存储器，其中该浮置栅极的材质包括掺杂多晶硅。

7.如权利要求6所述的分离栅极闪存存储器，其中在该沟槽中，该元件隔离结构的表面低于该基底的表面，该选择栅极的一部分呈鞍状而跨在该主动区上。

8.如权利要求6所述的分离栅极闪存存储器，其中在该沟槽中，该元件隔离结构之间的该主动区形成有凹口，该选择栅极的一部分呈鳍状而突出于该主动区中。

9.如权利要求6所述的分离栅极闪存存储器，其中该浮置栅极的一部分突出该选择栅极，且该浮置栅极突出该选择栅极的一转角具有尖锐的外型。

10.一种分离栅极闪存存储器的制造方法，包括：

在一基底中形成一元件隔离结构，以定义出一主动区；

在该基底上形成一图案化掩模层；

以该图案化掩模层为掩模，移除部分该元件隔离结构与该基底，而在该基底中形成一沟槽；

在该沟槽中形成一栅介电层；

在该沟槽中形成填满该沟槽的一选择栅极；

移除该图案化掩模层；

在该基底上形成一栅间介电层；

在该基底上形成一浮置栅极，该浮置栅极的一部分设置于该选择栅极上；以及

在该浮置栅极与该选择栅极两侧的基底中形成一第一掺杂区与一第二掺杂区，该第一掺杂区邻接该选择栅极的一侧，该第二掺杂区与该浮置栅极的一侧部分重叠。

11.如权利要求10所述的分离栅极闪存存储器的制造方法，其中于以该图案化掩模层为掩模，移除部分该元件隔离结构与该基底，而在该基底中形成该沟槽的步骤，包括：

移除部分该元件隔离结构，而在该元件隔离结构中形成一凹口。

12.如权利要求10所述的分离栅极闪存存储器的制造方法，其中于以该图案化掩模层为掩模，移除部分该元件隔离结构与该基底，而在该基底中形成该沟槽的步骤，包括：

移除部分该基底，而在该元件隔离结构之间形成一凹口。

13.如权利要求10所述的分离栅极闪存存储器的制造方法，其中在该沟槽中形成填满该沟槽的该选择栅极的步骤，包括：

在该基底上形成一导电材料层，该导电材料层填满该沟槽；以及

移除部分该导电材料层，并使该导电材料层具有一凹陷表面。

14.如权利要求10所述的分离栅极闪存存储器的制造方法，其中在该沟槽中形成该栅介电层方法，包括热氧化法。

15.如权利要求10所述的分离栅极闪存存储器的制造方法，其中在该基底上形成该浮置栅极的步骤，包括：

在该基底上形成一导电材料层；以及

图案化该导电材料层。