[发明专利]硅通孔绝缘层制备方法有效
| 申请号： | 201410192894.9 | 申请日： | 2014-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN103943490B | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 雷通;桑宁波 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅通孔 绝缘 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅通孔绝缘层制备方法，其特征在于包括：
第一步骤，用于利用先形成器件然后形成通孔的硅通孔工艺在半导体衬底中形成半导体器件和硅通孔；
第二步骤，用于利用亚常压化学气相沉积工艺在形成有半导体器件和硅通孔的半导体衬底上沉积第一厚度的第一绝缘层；
第三步骤，用于利用原子层沉积工艺在第一步骤所形成的第一绝缘层上直接沉积第二厚度的第二绝缘层；
第四步骤，用于在第二步骤所形成的第二绝缘层上直接沉积扩散阻挡层。
2.根据权利要求1所述的硅通孔绝缘层制备方法，其特征在于，所述第一厚度大于所示第二厚度。
3.根据权利要求1或2所述的硅通孔绝缘层制备方法，其特征在于，第一绝缘层和第二绝缘层是氧化硅绝缘层。
4.根据权利要求1或2所述的硅通孔绝缘层制备方法，其特征在于，硅通孔的直径为1-50um，硅通孔的深度为10-500um。
5.根据权利要求1或2所述的硅通孔绝缘层制备方法，其特征在于，在亚常压化学气相沉积工艺中，反应先驱物包括TEOS和O3，反应压力温度为400C，气体压力为10-100Torr。
6.根据权利要求1或2所述的硅通孔绝缘层制备方法，其特征在于，扩散阻挡层是Ta和/或TaN层。
7.根据权利要求1或2所述的硅通孔绝缘层制备方法，其特征在于，所述第一厚度和所示第二厚度的总厚度为50nm-5000nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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