[发明专利]一种图形自对准形成方法

权利要求书

1.一种图形自对准形成方法，其特征在于包括：

第一步骤，用于在衬底上布置掩模层；

第二步骤，用于进行光刻以使衬底上的掩模层形成具有第一特征尺寸的第一图形；

第三步骤，用于在该第一图形上沉积一层二氧化硅作为共形层，覆盖被第一图形暴露出来的衬底表面，并形成均匀覆盖第一图形的侧墙；

第四步骤，用于在该侧墙形成的基础上沉积一层氮化硅作为填充层，并通过化学机械研磨对填充层进行平坦化，以暴露出掩模层；

第五步骤，用于通过湿法刻蚀去除氮化硅，留下二氧化硅和掩模层；

第六步骤，用于执行灰化工艺选择性的去除掩模层，仅留下衬底表面的二氧化硅以及二氧化硅形成的侧墙；

第七步骤，用于利用二氧化硅作为刻蚀掩模对衬底进行刻蚀，形成小于具有小于第一特征尺寸的第二特征尺寸的第二图形。

2.根据权利要求1所述的图形自对准形成方法，其特征在于，第二特征尺寸为第一特征尺寸的一半。

3.根据权利要求1或2所述的图形自对准形成方法，其特征在于，共形层的厚度在介于第一特征尺寸的90％和第一特征尺寸的110％之间。

4.根据权利要求1或2所述的图形自对准形成方法，其特征在于，在通过化学机械研磨对填充层进行平坦化时，在探测到掩模层时终止研磨。

5.一种图形自对准形成方法，其特征在于包括：

第一步骤，用于在多晶硅层上布置掩模层；

第二步骤，用于进行光刻以使多晶硅层上的掩模层形成具有第一特征尺寸的第一图形；

第三步骤，用于在该第一图形上沉积一层二氧化硅，覆盖被第一图形暴露出来的多晶硅层表面，并形成均匀覆盖第一图形的侧墙；

第四步骤，用于在该侧墙形成的基础上沉积一层氮化硅作为填充层，并通过化学机械研磨对填充层进行平坦化，以暴露出掩模层；

第五步骤，用于通过湿法刻蚀去除氮化硅，留下二氧化硅和掩模层；

第六步骤，用于执行灰化工艺选择性的去除掩模层，仅留下多晶硅层表面的二氧化硅以及二氧化硅形成的侧墙；

第七步骤，用于利用二氧化硅作为刻蚀掩模对多晶硅层进行刻蚀以形成多晶硅栅极，形成小于具有小于第一特征尺寸的第二特征尺寸的第二图形。

6.根据权利要求5所述的图形自对准形成方法，其特征在于，第二特征尺寸为第一特征尺寸的一半。

7.根据权利要求5或6所述的图形自对准形成方法，其特征在于，共形层的厚度在介于第一特征尺寸的90％和第一特征尺寸的110％之间。