[发明专利]一种电容触摸屏的制作工艺

说明书

技术领域

本发明涉及触摸屏领域，特别是一种电容触摸屏的制作工艺。

背景技术

目前on-cell电容式触摸屏普遍采用各种单层多点电容式触摸传感器结构，都能支持多点触摸的使用要求，但单触屏的反应速度、灵敏度有所欠缺。此外现有工艺中金属导电膜、ITO导电膜的厚度波动范围较大，黄光制程工艺实施不便，良品率不高。

发明内容

本发明所要达到的目的是提供一种电容触摸屏的制作工艺，用于制作高灵敏度的on-cell电容式触摸屏，且ITO导电膜的厚度波动范围小。

为了达到上述目的，本发明采用如下技术方案：一种电容触摸屏的制作工艺，包括下述步骤，取带有彩色滤光片的液晶显示玻璃层，在彩色滤光片上沉积金属导电膜，并蚀刻过桥、引线、引点；在金属导电膜上覆盖OC绝缘层；在OC绝缘层上沉积ITO导电膜，ITO导电膜的厚度为130纳米-140纳米，蚀刻ITO图形，并与金属导电膜的过桥电连接；在ITO导电膜上固定柔性引线；使用透明光学胶将玻璃盖板贴合至ITO导电膜上，制成电容触摸屏。

进一步的，所述金属导电膜的厚度为150纳米-200纳米。

进一步的，所述OC绝缘层的厚度为15纳米-20纳米。

进一步的，沉积所述ITO导电膜的温度为215℃-225℃。

采用上述技术方案后，本发明具有如下优点：

在on-cell电容式触摸屏中使用SITO工艺，提高了触摸屏的灵敏度，同时可保持ITO导电膜的厚度较为均匀，便于黄光制程工艺实施，提高了良品率。

具体实施方式

一种电容触摸屏的制作工艺，包括下述步骤，取带有彩色滤光片的液晶显示玻璃层，在彩色滤光片上沉积金属导电膜，保持金属导电膜的厚度在150纳米-200纳米之间，以尽量靠近175纳米为优选，并蚀刻过桥、引线、引点；在金属导电膜上覆盖OC绝缘层，保持OC绝缘层的厚度在15纳米-20纳米，以尽量靠近17.5纳米为优选；在OC绝缘层上使用220℃的温度(也可以使用215℃、225℃或215℃-225℃中的其他取值)沉积ITO导电膜，保持ITO导电膜的厚度在130纳米-140纳米之间，以尽量靠近135纳米为优选，蚀刻ITO图形，并与金属导电膜的过桥电连接；在ITO导电膜上固定柔性引线；使用透明光学胶将玻璃盖板贴合至ITO导电膜上，制成电容触摸屏。

在on-cell电容式触摸屏中使用SITO工艺，提高了触摸屏的灵敏度，同时可保持ITO导电膜的厚度较为均匀，便于黄光制程工艺实施，提高了良品率。

除上述优选实施例外，本发明还有其他的实施方式，本领域技术人员可以根据本发明作出各种改变和变形，只要不脱离本发明的精神，均应属于本发明所附权利要求所定义的范围。