[发明专利]导电盲孔结构及其制法有效
| 申请号： | 201410198024.2 | 申请日： | 2014-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN105023910B | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 陈彦亨;林畯棠;纪杰元;詹慕萱 | 申请（专利权）人： | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电 结构 及其 制法 | ||
1.一种导电盲孔结构，包括：
封装胶体，其具有连通至该封装胶体外部的多个穿孔；
介电层，其形成于该封装胶体上并填充该些穿孔，且对填满该些穿孔中的介电层进行曝光方式以形成有盲孔，该盲孔的壁面为平整面；以及
导电材，其填充于该盲孔中。
2.如权利要求1所述的导电盲孔结构，其特征在于，该些穿孔的壁面为非平整面。
3.如权利要求1所述的导电盲孔结构，其特征在于，该些穿孔的壁面的平均粗糙度为2至60微米。
4.如权利要求1所述的导电盲孔结构，其特征在于，该穿孔的最大孔径为40至400微米。
5.如权利要求1所述的导电盲孔结构，其特征在于，该介电层的材质为感旋光性材质。
6.如权利要求1所述的导电盲孔结构，其特征在于，该介电层于该些穿孔中的厚度为30至50微米。
7.如权利要求1所述的导电盲孔结构，其特征在于，该盲孔的最大孔径为30至350微米。
8.如权利要求1所述的导电盲孔结构，其特征在于，该导电材为铜材。
9.如权利要求1所述的导电盲孔结构，其特征在于，该导电材填满该盲孔。
10.一种导电盲孔结构的制法，包括：
于一封装胶体中形成连通至该封装胶体外部的多个穿孔；
形成介电层于该封装胶体上，且该介电层填满该些穿孔；
对填满该些穿孔中的介电层进行曝光方式以形成有盲孔，该盲孔的壁面为平整面；以及
形成导电材于该盲孔中。
11.如权利要求10所述的导电盲孔结构的制法，其特征在于，该些穿孔以激光钻孔方式形成。
12.如权利要求10所述的导电盲孔结构的制法，其特征在于，该些穿孔的壁面的平均粗糙度为2至60微米。
13.如权利要求10所述的导电盲孔结构的制法，其特征在于，该穿孔的最大孔径为40至400微米。
14.如权利要求10所述的导电盲孔结构的制法，其特征在于，该介电层的材质为感旋光性材质。
15.如权利要求10所述的导电盲孔结构的制法，其特征在于，该介电层于该些穿孔中的厚度为30至50微米。
16.如权利要求10所述的导电盲孔结构的制法，其特征在于，该盲孔的最大孔径为30至350微米。
17.如权利要求10所述的导电盲孔结构的制法，其特征在于，该导电材为铜材。
18.如权利要求10所述的导电盲孔结构的制法，其特征在于，该导电材以电镀方式形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矽品精密工业股份有限公司，未经矽品精密工业股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410198024.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：存储器件及其制造方法
- 下一篇：半导体装置以及测量设备
