[发明专利]一种存储器中位线的预充电系统及预充电的判断方法

权利要求书

1.一种存储器中位线的预充电系统，其特征在于，包括：灵敏放大器和与其电路结构匹配且与其连接的虚拟灵敏放大器，其中，所述虚拟灵敏放大器通过虚拟位线与多个虚拟存储单元连接，用于对所述虚拟位线进行预充电并产生输出给所述灵敏放大器的预充控制信号；

所述灵敏放大器通过位线与多个存储单元连接，用于根据所述预充控制信号对所述位线进行预充电；

其中，所述虚拟灵敏放大器对所述虚拟位线的预充电与所述灵敏放大器对所述位线的预充电同步进行，且控制所述灵敏放大器结束对所述位线进行预充电的所述预充控制信号根据所述虚拟位线的预充电情况经两级判据产生；所述两级判据包括第一级判据和第二级判据，其中，所述第一级判据用于判断所述灵敏放大器对所述位线是否进行正常预充电，所述第二级判据用于在通过所述第一级判据的基础上判断所述灵敏放大器对所述位线是否完成预充电。

2.根据权利要求1所述的预充电系统，其特征在于，所述虚拟灵敏放大器包括第一预充电单元、第一判断单元、第二判断单元和信号产生单元，其中，所述第一预充电单元用于根据第一信号对所述虚拟位线进行预充电；

所述第一判断单元用于根据所述虚拟位线的预充电情况进行第一级判据并产生输出给所述信号产生单元的第一控制信号；

所述第二判断单元用于根据所述虚拟位线的预充电情况进行第二级判据并产生输出给所述信号产生单元的第二控制信号；

所述信号产生单元用于根据第二信号、所述第一控制信号和所述第二控制信号产生输出给所述灵敏放大器的预充控制信号。

3.根据权利要求2所述的预充电系统，其特征在于，所述灵敏放大器包括控制单元和第二预充电单元，其中，所述控制单元用于根据所述虚拟灵敏放大器的信号产生单元输出的预充控制信号和所述第二信号产生输出给所述第二预充电单元的第三控制信号；

所述第二预充电单元根据所述第三控制信号和所述第一信号对所述位线进行预充电。

4.根据权利要求3所述的预充电系统，其特征在于，所述虚拟灵敏放大器的第一预充电单元包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、节点、用于接收所述第一信号的第一信号端和用于接收第三信号的第三信号端，其中，所述第一PMOS管的源极接电源，所述第一PMOS管的栅极接地，所述第一PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极连接，所述第一NMOS管的栅极与所述第一信号端和所述第二NMOS管的栅极连接，所述第一NMOS管的源极与所述虚拟位线连接，所述第二NMOS管的源极与所述虚拟位线连接，所述第二NMOS管的漏极通过所述节点与所述第二PMOS管的漏极连接，所述第二PMOS管的栅极接所述第三信号端，所述第二PMOS管的源极接所述电源；

所述虚拟灵敏放大器的第一判断单元包括：第一反相器，其中，所述第一反相器的输入端与所述虚拟位线连接，所述第一反相器的输出端与所述信号产生单元连接；

所述虚拟灵敏放大器的第二判断单元包括：第二反相器，其中，所述第二反相器的输入端与所述第一预充电单元的节点连接，所述第二反相器的输出端与所述信号产生单元连接；

所述虚拟灵敏放大器的信号产生单元包括：第三PMOS管、第四PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第三反相器和用于接收所述第二信号的第二信号端，其中，所述第三PMOS管的栅极与所述第二判断单元的第二反相器的输出端连接，所述第三PMOS管的源极接所述电源，所述第三PMOS管的漏极与所述第四PMOS管的源极连接，所述第四PMOS管的栅极与所述第一判断单元的第一反相器的输出端连接，所述第四PMOS管的漏极与所述第三反相器的输入端和所述第四NMOS管的漏极连接，所述第四NMOS管的源极接地，所述第四NMOS管的栅极与所述第二信号端和所述第三NMOS管的栅极连接，所述第三NMOS管的漏极与所述第二判断单元的第二反相器的输入端连接，所述第三NMOS管的源极接地，所述第三反相器的输出端与用于输出所述预充控制信号的所述虚拟灵敏放大器的输出端连接。