[发明专利]一种存储器中位线的预充电系统及预充电的判断方法

说明书

技术领域

本发明涉及存储技术领域，尤其涉及一种存储器中位线的预充电系统及预充电的判断方法。

背景技术

在存储器正常工作之前，需要对存储器中的位线进行预充电，该预充电可以通过灵敏放大器来实现。为了更好地完成预充电以及判断预充电的时间，通常会设置与灵敏放大器的电路结构相似且与其连接的虚拟灵敏放大器，通过虚拟灵敏放大器输出的预充控制信号来控制灵敏放大器对位线的预充电。

图1a是现有技术的对虚拟位线进行预充电的虚拟灵敏放大器的电路图；图1b是现有技术的与图1a中的虚拟灵敏放大器连接的且对位线进行预充电的灵敏放大器的电路图。参见图1a，现有技术的虚拟灵敏放大器包括：三个PMOS管(P1-P3)、四个NMOS管(N1-N4)和一个反相器INV0，且虚拟灵敏放大器通过虚拟位线DBL对虚拟存储单元进行预充电；参见图1b，现有技术的灵敏放大器包括：两个PMOS管(P4和P5)以及三个NMOS管(N5-N7)，且灵敏放大器通过位线BL对存储单元进行预充电。此外，在虚拟灵敏放大器和灵敏放大器工作时，通过电源VS为它们同时提供工作电压，通过三个信号端(NBIAS、SAEN和SAIN)为它们同时提供工作所需的信号，并且虚拟灵敏放大器可以产生输出给灵敏放大器的预充控制信号PREC，用于控制灵敏放大器对位线BL的预充电。

参见图1a和图1b，在现有技术中，将节点SP0处的电压与反相器INV0的输出端从高电平到低电平的翻转电压的比较作为一级判据，用于判断灵敏放大器对位线BL是否结束预充电。在对位线BL进行预充电的过程中，且在信号端NBIAS接收的信号完成建立之前，由于此时与虚拟位线DBL连接的两个NMOS管(N1和N2)无法导通，因此，很容易引起节点SP0处出现毛刺，该毛刺会引起反相器INV0出现错误的翻转并通过一级判据，使预充控制信号PREC变成高电平，这样会使灵敏放大器提前结束对位线BL的预充电，从而降低了对位线BL进行预充电的准确性和精确度。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种存储器中位线的预充电系统及预充电的判断方法，以解决现有技术中的虚拟灵敏放大器采用一级判据而容易导致灵敏放大器提前结束对位线的预充电，从而降低对位线进行预充电的准确性和精确度的技术问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种存储器中位线的预充电系统，包括：灵敏放大器和与其电路结构匹配且与其连接的虚拟灵敏放大器，其中，所述虚拟灵敏放大器通过虚拟位线与多个虚拟存储单元连接，用于对所述虚拟位线进行预充电并产生输出给所述灵敏放大器的预充控制信号；

所述灵敏放大器通过位线与多个存储单元连接，用于根据所述预充控制信号对所述位线进行预充电；

其中，所述虚拟灵敏放大器对所述虚拟位线的预充电与所述灵敏放大器对所述位线的预充电同步进行，且控制所述灵敏放大器结束对所述位线进行预充电的所述预充控制信号根据所述虚拟位线的预充电情况经两级判据产生。

进一步地，所述两级判据包括第一级判据和第二级判据，其中，所述第一级判据用于判断所述灵敏放大器对所述位线是否进行正常预充电，所述第二级判据用于在通过所述第一级判据的基础上判断所述灵敏放大器对所述位线是否完成预充电。

进一步地，所述虚拟灵敏放大器包括第一预充电单元、第一判断单元、第二判断单元和信号产生单元，其中，所述第一预充电单元用于根据第一信号对所述虚拟位线进行预充电；

所述第一判断单元用于根据所述虚拟位线的预充电情况进行第一级判据并产生输出给所述信号产生单元的第一控制信号；

所述第二判断单元用于根据所述虚拟位线的预充电情况进行第二级判据并产生输出给所述信号产生单元的第二控制信号；

所述信号产生单元用于根据第二信号、所述第一控制信号和所述第二控制信号产生输出给所述灵敏放大器的预充控制信号。

进一步地，所述灵敏放大器包括控制单元和第二预充电单元，其中，所述控制单元用于根据所述虚拟灵敏放大器的信号产生单元输出的预充控制信号和所述第二信号产生输出给所述第二预充电单元的第三控制信号；

所述第二预充电单元根据所述第三控制信号和所述第一信号对所述位线进行预充电。