[发明专利]插入件、半导体封装件及制造插入件的方法

说明书

本申请要求于2013年8月30日提交的题为“插入件和使用插入件的半导体封装件及制造插入件的方法(Interposer And Semiconductor Package Using The Same,And Method Of Manufacturing Interposer)”的韩国专利申请序号10-2013-0104142的外国优先权，其全部内容通过引证方式结合在本申请中。

技术领域

本发明涉及一种插入件，并且更特别地，涉及一种插入件和使用该插入件的半导体封装件以及制造插入件的方法。

背景技术

由于对于小而轻且高度集成的半导体装置的需求增加，已研究了诸如堆叠式芯片封装件的三维集成电路。通常，三维集成电路包括用于在半导体芯片(将其堆叠以邻近彼此)之间相互连接的插入件。

通过参考专利文献(第10-2009-7023266号专利申请)来描述具有使用根据现有技术的插入件的封装件构造的基本结构，插入件设置在基板与半导体装置之间，并且除用于传输多个信号的通道(即，过孔)之外还包括用于在基板与半导体装置之间电连接的各种引线。

通常，插入件通过堆叠多个绝缘层而形成，并且因此可依据绝缘层的层数来控制插入件的高度。就是说，当需要更厚的插入件时，需要堆叠更多的绝缘层。

然而，在通过该方法控制插入件的高度的情况下，即使在不需要形成引线的空间中绝缘层也被不必要地堆叠在插入件中，从而导致材料的相当大的浪费。此外，当绝缘层的层数增加时，通过在每层的绝缘层中形成的引线和过孔传导的电信号的路径变长，这样使得信号丢失和失真可能增加。

同时，在插入件与基板之间以及插入件与半导体装置之间可通过结合薄膜、焊膏、焊球等连接。通过该结合方法，广泛地形成了结合部分，这样使得控制电路的集成是困难的。

【现有技术文献】

【专利文献】

(专利文献1)专利文献：第10-2009-7023266号专利申请

发明内容

本发明的目的是通过提供一种具有连接电极(该连接电极具有柱形形状)的插入件并且构造一种使用该插入件的半导体封装件，而与现有技术相比改善电特性，同时更加减少制造成本和时间并且更加提高生产效率。

根据本发明的示例性实施方式，提供了一种插入件，该插入件包括：插入件基板，该插入件基板通过堆叠一层或多层的绝缘层并堆叠通过过孔连接的夹层构成；腔，该腔在宽度方向上穿过插入件基板的中央；以及连接电极，该连接电极具有设置在插入件基板的上表面和下表面中的至少一个表面上的柱部。

连接电极可包括焊盘部，该焊盘部设置在柱部与插入件基板之间。

柱部的高度可控制为对应于包括在腔中的半导体装置的厚度。

连接电极可构造成多个。

柱部的上表面还可设置有金属层。

连接电极的表面可设置有粗糙度。

根据本发明的另一示例性实施方式，提供了一种半导体封装件，该半导体封装件包括：封装件基板，该封装件基板设置在如上所述的插入件基板的上部和下部上，并且该封装件基板通过连接电极电连接至插入件基板；半导体装置，该半导体装置安装在封装件基板的一个表面上并且包括在插入件基板的腔中；以及密封材料，填充该密封材料以密封包括在腔的内部中的半导体装置。

根据本发明的又一示例性实施方式，提供了一种制造插入件的方法，该方法包括：准备通过堆叠一层或多层的绝缘层并堆叠通过过孔连接的夹层构成的插入件基板；在插入件基板的一个表面或两个表面上堆叠光阻剂；在光阻剂中形成连接电极的位置处机械加工出一个开口，并且然后填充开口的内部；通过剥离光阻剂形成具有柱部的连接电极；以及形成在厚度方向上穿过插入件基板的中央的腔。

可以以对应于连接电极的厚度的高度来堆叠光阻剂的厚度。

制造插入件的方法可还包括：在形成连接电极之后，对光阻剂的表面进行抛光。

制造插入件的方法可还包括：在通过剥离光阻剂形成具有柱部的连接电极之前，在柱部的上表面上形成金属层。

制造插入件的方法可还包括：在通过剥离光阻剂形成具有柱部的连接电极之后，通过对连接电极进行表面处理来形成粗糙度。

附图说明

图1为根据本发明的示例性实施方式的插入件的截面图。

图2为根据本发明的示例性实施方式的插入件的平面图。

图3为使用根据本发明的示例性实施方式的插入件的半导体封装件的截面图。