[发明专利]一种砷掺杂仲钨酸铵或偏钨酸铵制备纳米钨粉的方法有效
| 申请号： | 201410199995.9 | 申请日： | 2014-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN103978224A | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 谭敦强;朱红波;李亚蕾;杨欣;何文;陆磊;陆德平 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | B22F9/24 | 分类号： | B22F9/24;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 330031 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 仲钨酸铵 偏钨酸铵 制备 纳米 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种砷掺杂仲钨酸铵或偏钨酸铵制备纳米钨粉的方法，其特征是按如下步骤：
（1）将一定量的单质砷溶于浓度为65%~68%硝酸溶液中的，待砷完全溶解后，再将仲钨酸铵或偏钨酸铵加入到单质砷的硝酸溶液中，原料中砷的含量为0.1~5wt%；电动搅拌使原料混合均匀后，置于烘箱内烘干，烘箱温度为70~90℃，时间为8~10h，经研磨后制得砷掺杂前驱体复合粉末；
（2）将制备的砷掺杂前驱体复合粉末置于箱式电阻炉中，在空气气氛下进行焙烧，焙烧温度为580~620℃，保温时间为2~3h，制备出黄色三氧化钨粉末；
（3）将制得的黄色三氧化钨粉末放入管式气氛炉中，通入氢气进行还原，升温速率为5℃/min，还原温度为780~820℃，保温时间为3~4h，制备出纳米钨粉。
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