[发明专利]一种砷掺杂仲钨酸铵或偏钨酸铵制备纳米钨粉的方法有效
申请号: | 201410199995.9 | 申请日: | 2014-05-13 |
公开(公告)号: | CN103978224A | 公开(公告)日: | 2014-08-13 |
发明(设计)人: | 谭敦强;朱红波;李亚蕾;杨欣;何文;陆磊;陆德平 | 申请(专利权)人: | 南昌大学 |
主分类号: | B22F9/24 | 分类号: | B22F9/24;B82Y40/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人: | 施秀瑾 |
地址: | 330031 江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 掺杂 仲钨酸铵 偏钨酸铵 制备 纳米 方法 | ||
技术领域
本发明属于金属粉末冶金制粉领域。
背景技术
硬质合金俗称为“工业牙齿”。纳米晶WC-Co硬质合金因其特殊的耐磨蚀、高硬度,以及优异的断裂韧性和抗压强度被广泛应用于切削刀具,冲击工具,耐磨耐蚀零部件等领域。优质纳米晶WC粉的制备是纳米晶WC-Co硬质合金制备的关键技术。在硬质合金领域,由于WC的粒度和粒度分布直接遗传于W粉,因此W粉的粒度和粒度分布直接影响所生产的WC粉的粒度及粒度分布,而WC粉粒度则进一步影响硬是合金制品的性能。因此制备分散性好、粒度分布均匀的纳米W粉末是纳米晶WC-Co硬质合金制备的关键技术。
目前,国内外制备纳米钨粉的传统方法主要是氧化钨粉还原法,还原方法有氢还原法和碳还原法(一氧化碳或碳作还原剂)两种。在氧化钨氢还原过程中生成大量的水蒸气,而高的水蒸气浓度不利于钨粉形核,并会加速氧化钨粉的“挥发-沉积”机制,强烈促进钨粉长大;在氧化钨碳还原制备钨粉过程中,尽管没有水蒸汽产生,从而避免了氧化钨气态水化物WO2(OH)2或WOx·H2O引起的钨粉颗粒长大,但是碳还原所需高温也会强烈促进钨粉长大。因此采用传统工艺(氧化钨还原法)制备超细钨粉,料层应足够薄,温度应足够低,并且通高流量的干氢,但一般也只能生产平均粒度为0.6~0.8μm的W粉,而且普遍存在粒度分布宽、生产效率低和高成本等问题。而采用添加少量晶粒抑制剂(如V2O5、Cr2O3等)方法来制备纳米钨粉,主要是抑制氧化钨的挥发,从而控制钨粉长大,但是在随后的碳化过程中形成的VC、Cr3C2会使硬质合金的性能降低。
而随着纳米材料的出现,纳米钨粉的制备新方法也不断涌现。目前,有关纳米钨粉的制备新方法主要有高能球磨法、气体蒸发法、等离子体法、自蔓延高温还原法、熔盐电解法等。但上述各种制备方法均需特殊工装设备,且工艺控制难度大,生产成本高,故大都难以获得成功的工业化应用。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术的不足,提供一种砷(As)掺杂仲钨酸铵(APT)或偏钨酸铵(AMT)制备纳米钨粉的方法。
本发明的具体制备步骤如下。
(1)砷掺杂仲钨酸铵或偏钨酸铵前驱体复合粉末的制备。
首先将一定量的单质砷溶于浓度为65%~68%硝酸溶液中的,待砷完全溶解后,再将仲钨酸铵或偏钨酸铵加入到单质砷的硝酸溶液中,原料中砷的含量为0.1~5wt%;电动搅拌使原料混合均匀后,置于烘箱内烘干,烘箱温度为70~90℃,时间为8~10h,经研磨后制得砷掺杂前驱体复合粉末。
(2)砷掺杂前驱体复合粉末焙烧制备黄色三氧化钨粉末。
将制备的砷掺杂前驱体复合粉末置于箱式电阻炉中,在空气气氛下进行焙烧,焙烧温度为580~620℃,保温时间为2~3h,制备出黄色三氧化钨粉末。
(3)还原黄色三氧化钨粉末制备纳米钨粉。
将制得的黄色三氧化钨粉末放入管式气氛炉中,通入氢气进行还原,升温速率为5℃/min,还原温度为780~820℃,保温时间为3~4h,制备出纳米钨粉。
本发明制备纳米钨粉的方法工艺简单,生产成本低廉,适合工厂批量生产纳米钨粉,制备出的钨粉分散性好且粒度分布均匀,其粒径为20~150 nm,有效地推进了纳米晶WC-Co硬质合金的发展与应用。
附图说明
图1为实例1制备出的纳米钨粉的SEM形貌图。
图2为实例1制备出的纳米钨粉的TEM形貌图。
图3为实例1制备出的纳米钨粉的XRD衍射图谱。
具体实施方式
下面通过附图和具体实施方式对本发明做进一步说明,但并不意味着对本发明保护范围的限制。
实施例1。
A. 按下述质量百分比配料,APT(仲钨酸铵)为99.0wt%,As为1.0wt%。将1.0 g As溶于50 ml质量分数为65%~68%的硝酸中,水浴加热10 h,加热温度为30℃。待As完全溶解后,将99.0 g APT加入到As的硝酸溶液中,电动搅拌使原料充分混合。
B. 待原料混合均匀后,放入烘箱内烘干,烘箱温度为80℃,时间10 h,制得As掺杂前驱体复合粉末。
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