[发明专利]静电放电保护装置有效
申请号: | 201410200517.5 | 申请日: | 2014-05-13 |
公开(公告)号: | CN105097797B | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 何介暐 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/60 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 放电 保护装置 | ||
1.一种静电放电保护装置,包括:
一保护电路,包括一第一元件与一第二元件,其中该第一元件与该第二元件相互串接在一电源配线与一接地配线之间,且该第一元件与该第二元件之间具有一连接节点;
一第一电阻;以及
一低通滤波器,其中该低通滤波器、该保护电路与该第一电阻相互串接在一输入焊垫与一内部电路之间;
其中该第一元件为一二极管,该二极管电性连接在该电源配线与该连接节点之间,该第二元件为一NMOS晶体管,该NMOS晶体管的漏极电性连接该连接节点,该NMOS晶体管的栅极透过一第二电阻电性连接至该接地配线,该NMOS晶体管的源极电性连接至该接地配线。
2.根据权利要求1所述的静电放电保护装置,其中该低通滤波器的输入端电性连接该输入焊垫,该低通滤波器的输出端电性连接该NMOS晶体管的漏极与该第一电阻的第一端,该第一电阻的第二端电性连接该内部电路。
3.根据权利要求1所述的静电放电保护装置,其中该低通滤波器的输入端电性连接该NMOS晶体管的漏极与该输入焊垫,该低通滤波器的输出端电性连接该第一电阻的第一端,该第一电阻的第二端电性连接该内部电路。
4.根据权利要求1所述的静电放电保护装置,其中该第一电阻的第一端电性连接该输入焊垫,该低通滤波器的输入端电性连接该第一电阻的第二端与该NMOS晶体管的漏极,且该低通滤波器的输出端电性连接该内部电路。
5.根据权利要求1所述的静电放电保护装置,其中该低通滤波器具有一输入端与一输出端,且该低通滤波器包括:
一第二电阻,电性连接在该低通滤波器的输入端与输出端之间;以及
一电容,其第一端电性连接该低通滤波器的输出端,该电容的第二端电性连接至该接地配线。
6.根据权利要求5所述的静电放电保护装置,其中该低通滤波器更包括:
一齐纳二极管,其阴极电性连接该第二电阻的第一端或是第二端,该齐纳二极管的阳极电性连接至该接地配线。
7.根据权利要求1所述的静电放电保护装置,其中该低通滤波器具有一输入端与一输出端,且该低通滤波器包括:
一电容,其第一端电性连接该低通滤波器的输入端与输出端,该电容的第二端电性连接至该接地配线。
8.根据权利要求1所述的静电放电保护装置,其中该静电放电保护装置适用于一集成电路,该集成电路包该输入焊垫、该内部电路与一焊垫,且该静电放电保护装置更包括一齐纳二极管,其中该齐纳二极管的阴极电性连接该焊垫,该齐纳二极管的阳极电性连接至该接地配线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的