[发明专利]静电放电保护装置有效
申请号: | 201410200517.5 | 申请日: | 2014-05-13 |
公开(公告)号: | CN105097797B | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 何介暐 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/60 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 放电 保护装置 | ||
本发明公开了一种静电放电保护装置,包括保护电路、第一电阻与低通滤波器。保护电路包括第一元件与第二元件。第一元件与第二元件相互串接在电源配线与接地配线之间,且第一元件与第二元件之间具有连接节点。低通滤波器、保护电路与第一电阻相互串接在输入焊垫与内部电路之间。
技术领域
本发明是有关于一种静电放电保护装置,且特别是有关于一种具有低通滤波器的静电放电保护装置。
背景技术
静电放电(electrostatic discharge,ESD)是影响集成电路的可靠度(reliability)的主要因子,故集成电路中都会加入静电放电保护装置的设计。此外,随着半导体工艺技术进步至深次微米(deep sub-micron)的尺寸,现有集成电路的电子产品在量产前往往必须通过元件层级(component-level)与系统层级(system-level)的ESD测试。其中,当集成电路完成封装时,会先进行元件层级的ESD测试。此外,当集成电路安装在电子产品后,将进一步地进行系统层级的ESD测试。
在系统层级的ESD测试下,静电放电能量会更加的强大。因此,现有的静电放电保护装置大多无法致使集成电路通过系统层级的ESD测试,进而降低集成电路的可靠度。
发明内容
本发明提供一种静电放电保护装置,利用低通滤波器导引静电讯号,以致使集成电路通过系统层级的ESD测试。
本发明的静电放电保护装置,包括保护电路、第一电阻与低通滤波器。保护电路包括第一元件与第二元件。其中,第一元件与第二元件相互串接在电源配线与接地配线之间,且第一元件与第二元件之间具有连接节点。低通滤波器、保护电路与第一电阻相互串接在输入焊垫与内部电路之间。
基于上述,本发明的静电放电保护装置设有低通滤波器,并可透过低通滤波器将静电讯号导引至接地配线。藉此,静电放电保护装置将可致使集成电路通过系统层级的ESD测试,进而提升集成电路的可靠度。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附图式作详细说明如下。
附图说明
图1为依据本发明一实施例的静电放电保护装置的电路示意图。
图2为依据本发明一实施例的静电放电保护装置在系统层级的ESD测试下的模拟示意图。
图3为依据本发明另一实施例的静电放电保护装置的电路示意图。
图4为依据本发明又一实施例的静电放电保护装置的电路示意图。
图5为依据本发明再一实施例的静电放电保护装置的电路示意图。
图6为依据本发明另一实施例的静电放电保护装置的电路示意图。
【符号说明】
100、300、400、500、600:静电放电保护装置
110:保护电路
111:第一元件
112:第二元件
120、R11、R12、R21、R22、420:电阻
130、330、430、530:低通滤波器
IN1:低通滤波器的输入端
OUT1:低通滤波器的输出端
D1:二极管
C1:电容
M1、M12:NMOS晶体管
M11:PMOS晶体管
101:输入焊垫
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的