[发明专利]生产二异丙基萘的方法

权利要求书

1.一种生产二异丙基萘的方法，以萘和丙烯为原料，在反应温度为130～350℃，反应压力为0～3.5MPa，萘与丙烯的摩尔比为0.2～5，萘的重量空速为0.1～10小时^-1的条件下，反应原料与催化剂接触生成二异丙基萘；所述催化剂以重量百分比计包括以下组分：

a)50～80％的有机硅沸石；

b)20～50％的粘结剂；

所述有机硅沸石包括以下摩尔关系的组成：(1/n)Al₂O₃：SiO₂：(m/n)R，式中n＝10～350，m＝0.02～50，R为烷基、烷烯基或苯基中的至少一种；所述有机硅沸石的Si²⁹NMR固体核磁图谱在-80～+50ppm之间至少包含有一个Si²⁹核磁共振谱峰；所述有机硅沸石的X-射线衍射图谱在13.2±0.2，12.3±0.1,10.9±0.3,9.1±0.3,6.8±0.2,6.1±0.2，5.6±0.2,4.4±0.3,4.0±0.3,3.6±0.2,3.4±0.1和3.3±0.2埃处有d-间距最大值；

或者，所述有机硅沸石包括以下摩尔关系的组成：(1/n)Al₂O₃：SiO₂：(m/n)R，式中n＝5～200，m＝0.01～100，R为烷基、烷烯基或苯基中的至少一种；所述含有机硅沸石的Si²⁹NMR固体核磁图谱在-80～+50ppm之间至少包含有一个Si²⁹核磁共振谱峰；所述有机硅沸石的X-射线衍射图谱在11.34±0.04,4.13±0.04,3.96±0.04,3.32±0.04,3.02±0.04和2.07±0.04埃处有d-间距最大值；

或者，所述有机硅沸石包括以下摩尔关系的组成：(1/n)Al₂O₃：SiO₂：(m/n)R，式中n＝5～250，m＝0.01～50，R为烷基、烷烯基或苯基中的至少一种；所述含有机硅沸石的Si²⁹NMR固体核磁图谱在-80～+50ppm之间至少包含有一个Si²⁹核磁共振谱峰；所述有机硅沸石的X-射线衍射图谱在12.4±0.2,11.0±0.3,9.3±0.3,6.8±0.2,6.1±0.2,5.5±0.2,4.4±0.2,4.0±0.2和3.4±0.1埃处有d-间距最大值。

2.根据权利要求1所述生产二异丙基萘的方法，其特征在于所述烷基为碳原子数为1～8的烷基，所述烷烯基为碳原子数为2～10的烷烯基。

3.根据权利要求2所述生产二异丙基萘的方法，其特征在于所述烷基为甲基或乙基，所述烷烯基为乙烯基。

4.根据权利要求1所述生产二异丙基萘的方法，其特征在于所述粘结剂选自氧化铝、氧化钛、氧化锌或氧化锆中的至少一种。

5.根据权利要求1所述生产二异丙基萘的方法，其特征在于反应温度为150～300℃。

6.根据权利要求1所述生产二异丙基萘的方法，其特征在于反应压力为0.1～3.0MPa。

7.根据权利要求1所述生产二异丙基萘的方法，其特征在于萘与丙烯的摩尔比为0.2～3。

8.根据权利要求1所述生产二异丙基萘的方法，其特征在于萘的重量空速为0.1～2小时^-1。