[发明专利]赛隆系氧氮化物荧光体的制造方法以及赛隆系氧氮化物荧光体

权利要求书

1.α-赛隆系氧氮化物荧光体的制造方法，其特征在于将混合粉末在含有氮的惰性气体气氛中在1400～2000℃烧制，所述混合粉末含有松装密度为0.1～0.3g/cm³的无定形氮化硅粉末，并且是按照生成物以式M_xSi_12-(m+n)Al_(m+n)O_nN_16-n:Ln_y表示而配混的混合粉末，M为选自Li、Ca、Mg、Y或者除La、Ce以外的镧系金属的至少一种金属，Ln为选自Eu、Dy、Er、Tb、Yb的至少一种镧系金属。

2.权利要求1所述的α-赛隆系氧氮化物荧光体的制造方法，其特征在于所述混合粉末含有所述无定形氮化硅粉末，以及AlN和/或Al粉末、金属M的氧化物或通过热分解成为氧化物的前体物质以及镧系金属Ln的氧化物或通过热分解成为氧化物的前体物质。

3.权利要求1或2所述的α-赛隆系氧氮化物荧光体的制造方法，其特征在于所述混合粉末是在将无定形氮化硅粉末、AlN和/或Al粉末、金属M的氧化物或通过热分解成为氧化物的前体物质以及镧系金属Ln的氧化物或通过热分解成为氧化物的前体物质组合而成的混合粉末中添加预先合成的以通式M_xSi_12-(m+n)Al_(m+n)O_nN_16-n或通式M_xSi_12-(m+n)Al_(m+n)O_nN_16-n:Ln_y表示的α-赛隆粉末而得到的混合物，式中的符号与上述式中相同。

4.权利要求1～3中任意一项所述的α-赛隆系氧氮化物荧光体的制造方法，其特征在于所述无定形氮化硅粉末的比表面积为大于600且小于等于800m²/g。

5.权利要求1～4中任意一项所述的α-赛隆系氧氮化物荧光体的制造方法，其特征在于无定形氮化硅粉末具有0.1～0.3g/cm³的松装密度和650～800m²/g的比表面积。

6.权利要求1～5中任意一项所述的α-赛隆系氧氮化物荧光体的制造方法，其特征在于在1个大气压的含有氮气的惰性气体气氛中在1400～1800℃烧制。

7.权利要求1～6中任意一项所述的α-赛隆系氧氮化物荧光体的制造方法，其特征在于将松装密度为0.10～0.30g/cm³的含氮硅烷化合物粉末加热处理而制造松装密度为0.16～0.22g/cm³的所述无定形氮化硅粉末。

8.权利要求7所述的α-赛隆系氧氮化物荧光体的制造方法，其特征在于松装密度为0.10～0.30g/cm³的所述含氮硅烷化合物的粉末通过如下制造方法制造：在使卤化硅烷化合物与液氨混合而反应时，将卤化硅烷化合物以无溶剂或者卤化硅烷化合物浓度为50vol％以上的惰性有机溶剂的溶液的形式从供给口输出而供给到液氨中。

9.α-赛隆系氧氮化物荧光体，其特征在于通过权利要求1～8中任意一项所述的α-赛隆系氧氮化物荧光体的制造方法制造。