[发明专利]一种管状钼靶材的制备方法有效

专利信息
申请号: 201410210033.9 申请日: 2014-05-17
公开(公告)号: CN103978345B 公开(公告)日: 2016-11-16
发明(设计)人: 朱琦;王林;王娜;杨秦莉 申请(专利权)人: 金堆城钼业股份有限公司
主分类号: B23P15/00 分类号: B23P15/00;C23C14/34;B22F3/16;B21C23/00
代理公司: 西安创知专利事务所 61213 代理人: 谭文琰
地址: 710077 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 管状 钼靶材 制备 方法
【说明书】:

技术领域

本发明属于难熔金属材料加工技术领域,具体涉及一种管状钼靶材的制备方法。

背景技术

钼由于良好的电学性能和热稳定性,在平面显示器以及薄膜太阳能电池制造中得到广泛应用,而平面显示器和光伏行业的迅速发展,也极大的带动了钼溅射靶材的市场需求量。平面靶材由于受到轧机尺寸的限制,国内目前只能制作出宽幅达到1.2m的钼板靶材,且溅射利用率偏低。相比平面靶材,采用旋转靶结构的设计显示出它的实质性优势,从平面靶到旋转靶在几何结构和设计上的变化增加了靶材的利用率,利用率从平面靶的30%~50%可增加到旋转靶的80%以上。此外,如果以KW·h来衡量靶材的寿命,则旋转靶的寿命要比平面靶长5倍。近年来随着液晶屏幕尺寸的不断增大,与之对应的溅射板状钼靶也随之增大了其自身的面积。采用旋转的钼管作靶材,屏幕的宽度由钼管长度决定,屏幕的长度则不受限制。虽然管靶的利用率高于平面靶材,由于管状靶材难于制造且成品率低,市场应用量很低,随着钼溅射靶材的尺寸规格向大型化、高靶材利用率等方向发展,钼管靶的市场应用将得到迅速发展。

为了提高溅射层的均匀性,要求溅射靶材具有较高的致密度(在99.7%以上)。然而最常用的成形钼制品工艺(粉末冶金)达不到靶材的致密度要求,所以必须再加一道热加工工艺来提高其制品的致密度。对于大型管靶,常采用的提高致密度的方法是锻造,这种方法的加工过程是先制备出大直径棒坯,然后锻造到要求外径尺寸,再通过掏孔和机加工得到所需尺寸的管靶,该方法的缺点是生产成本高,生产效率低且材料利用率低,对于直径较大的钼靶材,甚至无法加工。国内还有一种制备钼管靶材的方法是,烧结钼管靶经过简单的锻造处理和机加工后得到所需尺寸的管靶,该锻造方法实际上是钼管靶的矫形,一般密度为9.8g/cm3,不能达到高致密度的要求,只能用于对靶材质量要求不高的溅射领域。

中国专利CN101052740A公开了一种管形靶的制备方法,该专利采用冷等静压、烧结和挤压工艺制备管形靶,但该专利中没有对烧结工艺和挤压工艺做出具体要求,且挤压规格有限,因此,采用该专利所生产的钼管靶不具有使用及性能上的优势。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术的不足,提供一种管状钼靶材的制备方法。该方法少切屑,生产效率高,钼管长度可调,并且具有明显的成本优势,此外,该方法生产工艺流程短,金属损耗小,综合成品率高,能够方便、快捷、大量地生产溅射用管状靶材。

为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:一种管状钼靶材的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:

步骤一、将钼粉压制成钼管坯;

步骤二、对步骤一中所述钼管坯进行烧结处理,具体过程为:

步骤201、一段烧结:将钼管坯竖直放置于烧结炉中,先升温至350℃~450℃后保温3h~4h,再升温至750℃~850℃后保温3h~4h,然后升温至1100℃~1250℃后保温3h~4h,之后升温至1400℃~1500℃后保温4h~6h,随炉冷却;

步骤202、二段烧结:将步骤201中经一段烧结后的钼管坯倒置于烧结炉中,然后升温至1800℃~2000℃后保温5h~6h,随炉冷却;

步骤三、将步骤202中二段烧结后的钼管坯在温度为1200℃~1300℃的条件下保温5min~30min,然后送入挤压机中,在挤压比为4.2~5的条件下进行挤压,经车削加工后得到管状钼靶材。

上述的一种管状钼靶材的制备方法,其特征在于,步骤一中所述钼粉的松装密度为1.4g/cm3~2.0g/cm3

上述的一种管状钼靶材的制备方法,其特征在于,步骤202中经二段烧结的钼管坯的密度为9.7g/cm3~9.8g/cm3

上述的一种管状钼靶材的制备方法,其特征在于,步骤二中所述烧结处理在氢气气氛下进行。

上述的一种管状钼靶材的制备方法,其特征在于,步骤三中所述管状钼靶材的外径为130mm~200mm,所述管状钼靶材的壁厚为14mm~15mm。

上述的一种管状钼靶材的制备方法,其特征在于,步骤三中所述管状钼靶材的密度为10.1g/cm3~10.2g/cm3

本发明与现有技术相比具有以下优点:

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