[发明专利]金属遮罩制造方法以及金属遮罩

说明书

技术领域

本发明是关于一种金属遮罩制造方法以及用此方法制成的金属遮罩，特别是有关于供镀膜使用的金属遮罩的制造方法以及用此方法制成的镀膜用金属遮罩。

背景技术

金属遮罩是半导体及微机电等工艺中常使用的工具之一。在蒸镀、溅镀、网印及覆晶封装等程序中可利用金属遮罩形成所需的结构体。一般而言，金属遮罩是在金属基板的特定位置上制作需要的开口，镀膜材料可通过开口于基材上形成特定图案。

如图1A所示，常见的金属遮罩80受到工艺上的限制，其底面角度γ较大(约50～55度)且开口40较小，此结构容易对镀膜材料源600发出的镀膜材料造成阻碍，不利于薄膜厚度均匀性的控制以及镀膜材料源600的集中。另一方面若在相同大小开口40的前提下欲制作低角度，则会造成开口40密度较小。如图1B所示，金属遮罩80与金属遮罩80＇具有相同大小的开口40，但是金属遮罩80＇的开口40的密度明显小于金属遮罩80的开口40的密度。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种金属遮罩制造方法以及用此方法制成的金属遮罩，以解决现有技术所遭遇到的上述问题。

金属遮罩制造方法，包含下列步骤：(a)在基板的第一面设置第一防蚀刻层；其中第一防蚀刻层上具有第一镂空区；(b)在基板相对第一面的第二面上设置第二防蚀刻层；其中第二防蚀刻层上的第二镂空区与第一镂空区相对；(c)对第一面及第二面进行第一次蚀刻，使第一面为第一镂空区所曝露的区域形成第一凹陷部及使第二面为第二镂空区所曝露的区域形成第二凹陷部；其中第一凹陷部及第二凹陷部为基板的一部分所隔绝；(d)布设保护层填入第一凹陷部内；(e)自第二面进行第二次蚀刻，使第一凹陷部及第二凹陷部产生穿口；(f)去除第二防蚀刻层；以及(g)自第二面进行第三次蚀刻。

步骤(b)包含使第二镂空区的横向宽度大于第一镂空区的横向宽度。步骤(e)包含于穿口横向宽度与第一凹陷部最大横向宽度相近时停止第二次蚀刻。步骤(g)中第三次蚀刻是采用朝向第二面方向的喷式蚀刻。步骤(g)中是蚀刻第二镂空区的内表面形成微结构壁面，当微结构壁面与第一面的夹角小于40度时，停止第三次蚀刻。步骤(g)中当微结构壁面的曲率半径大于500μm时，停止第三次蚀刻。

金属遮罩是以前述制造方法所制成，金属遮罩包含多个微结构，相邻微结构间夹有间隙；其中，每一微结构具有底面以及至少一微结构壁面。底面第一面的一部分。至少一微结构壁面与底面的夹角小于40度。微结构壁面与底面的夹角大于20度。微结构壁面的曲率半径大于500μm。间隙的横切宽度不小于底面的横切宽度的一半。

基于上述，本发明中的金属遮罩制造方法可制成具有较低角度及较大开口的金属遮罩，能提高后续镀膜工艺中对薄膜厚度均匀性的控制，并便利镀膜材料源的集中，从而得以解决先前技术所述及的问题。

本发明的另一目的在于提供一种金属遮罩，具有较低角度及较大开口，供后续镀膜工艺使用时可提高对薄膜厚度均匀性的控制，并便利镀膜材料源的集中。

应了解的是，上述一般描述及以下具体实施方式仅为例示性及阐释性的，其并不能限制本发明所欲主张的范围。

附图说明

图1A及1B为习知技术示意图；

图2为本发明的较佳实施例流程图；

图3为在基板的第一面设置具有第一镂空区的第一防蚀刻层的实施例示意图；

图4为在基板的第二面设置具有第二镂空区的第二防蚀刻层的实施例示意图；

图5为形成第一凹陷部及第二凹陷部的实施例示意图；

图6A及6B为布设保护层填入第一凹陷部内的实施例示意图；

图7为形成穿口的实施例示意图；

图8为暴露出第二面及第二凹陷部的结构的实施例示意图；

图9为自第二面进行第三次蚀刻以形成微结构的实施例示意图；

图10为本发明金属遮罩的实施例示意图；以及

图11为在镀膜工艺中使用本发明金属遮罩的实施例示意图。

附图标记：

40  开口

80  金属遮罩

80＇  金属遮罩

100  基板

110  第一面

114  第一凹陷部

124  第二凹陷部

120  第二面

128  尖角部分

134  穿口

180  微结构

181  微结构壁面

182  底面

300  第一防蚀刻层