[发明专利]发光器件封装件

说明书

本发明所公开的为一种发光器件封装件，其包括：具有至少一个腔体的封装体；安装在腔体上的至少一个发光器件；以及布置在发光器件上以填充腔体的模制构件。封装体具有形成在腔体的除底表面之外的上部处的至少一个第一凹陷，并且模制构件布置到所述至少一个第一凹陷的内边缘处。

技术领域

本实施方案涉及发光器件封装件。

背景技术

发光二极管(LED)是一种通过利用化合物半导体的性质将电信号转换为红外光或可见光来传输和接收信号的半导体器件并且广泛用作光源。

近来，III-V族氮化物半导体材料作为发光器件(例如LED和激光二极管(LD))的主要材料由于其物理和化学性质而受到关注。

这样的LED是环境友好的，原因是在其中未使用在常规照明装置(例如白炽灯和荧光灯)中使用的有害物质，例如汞(Hg)。因而，LED正替代常规光源。

图1为示出常规发光器件封装件的横截面图。

图1中所示的发光器件封装件由以下元件组成：通过绝缘材料20彼此电隔离的封装体10A和10B；发光器件30；副安装座40；导线50A和50B；以及模制构件60。

当图1的发光器件30发射深紫外(DUV)光时，模制构件60具有非常低的粘度。例如，当发光器件30发射蓝光时，模制构件60具有大于20Pa·秒的粘度。当发光器件30发射DUV光时，模制构件60具有3.2Pa·秒的非常低的粘度。因此，模制构件60可能形成为平圆顶形状，导致光提取效率降低。

另外，由于副安装座40与由铝(Al)形成的封装体10A和10B之间的热膨胀系数之差，所以它们之间的接触性质可能劣化，由此降低了产品可靠性。

另外，由铝(Al)形成的封装体10A和10B与由金(Au)形成的导线50A和50B之间的接合的低可靠性可能引起产品缺陷。

发明内容

本实施方案提供了一种具有提高的光提取效率的发光器件封装件。

在一个实施方案中，发光器件封装件可以包括：具有至少一个腔体的封装体；安装在腔体上的至少一个发光器件；以及布置在发光器件上以填充腔体的模制构件。封装体可以具有形成在腔体的除底表面之外的上部处的至少一个第一凹陷，并且模制构件可以布置到所述至少一个凹陷的内边缘。

第一凹陷的平面形状可以与腔体的平面形状相同。

所述至少一个第一凹陷可以布置为相邻于腔体的一侧末端。

所述至少一个第一凹陷可以具有包围腔体的圆平面形状。

发光器件可以发射波长范围为200nm至405nm的光。

在发光器件发射UV光时所使用的模制构件的第一粘度可以低于在发光器件发射蓝光时所使用的模制构件的第二粘度。

发光器件封装件还可以包括布置在模制构件与封装体之间的在腔体的一个边缘与第一凹陷的内边缘之间的区域中的至少一部分上的涂层。

涂层可以包括具有低的与模制构件的界面能的材料。涂层可以包含氧化物或聚合物。

发光器件封装件还可以包括布置在发光器件与封装体之间的副安装座。

封装体还可以包括布置为与副安装座接触的至少一个第二凹陷。

所述至少一个第二凹陷可以具有比副安装座的短轴宽度更大的宽度并且包括沿副安装座的长轴方向排列的多个第二凹陷。

所述至少一个第二凹陷可以具有满足以下公式的深度：

t<d<5t