[发明专利]LED照明大芯片

权利要求书

1.使用LED照明大芯片组建的LED光机模组，其特征在于,它是按以下方法组建的：根据功率需要，对LED照明大芯片(420)进行剪裁，剪裁成不同长度的LED照明大芯片(420)具有不同的功率，在光机模板(43)上印刷银浆电路(414)，光机模板(43)上银浆电路(414)也具有接口导线，且数目和间距均与LED照明大芯片(420)的接口导线相同；将LED照明大芯片(420)带芯片的一面贴在光机模板(43)带银浆电路(414)的一面进行对焊，两者的接口导线相互对应焊接；同时将LED驱动电源大芯片(410)带银浆电路(414)的一面贴在光机模板(43)带银浆电路(414)的一面进行对焊；从而将LED照明大芯片(420)与LED驱动电源大芯片(410)接通；最后用透明胶封装LED照明大芯片和驱动电源大芯片周围的缝隙；所述的LED芯片承载电压为DC3.2V或大于DC10V的高电压；

其中，LED照明大芯片(420)包括一个宽度固定为W的第一透明基板(421)，第一透明基板(421)上设有N+1条平行的接口导线，第一透明基板(421)上设有多颗LED芯片(41)构成LED芯片串联组，每颗LED芯片(41)均位于两条相邻的接口导线之间，两条相邻的接口导线的间距为W_JG等于W减接口导线宽再除以N，且每颗LED芯片(41)的正负极均分别连接在两条相邻的接口导线上；且同时并联多个LED串联组，使得第一透明基板(421)上形成可在第一透明基板(421)长度方向上延伸的N列多行的LED芯片阵列，N为3至7之间的整数。

2.根据权利要求1所述的LED光机模组，其特征在于：所述LED芯片阵列和接口导线在第一透明基板(421)上的形成方法是：采用透明的衬底做过渡外延层形成的薄型外延片，外延片采用成熟芯片制造技术分层生长电路和LED芯片，然后经切割形成宽度为W的LED照明大芯片，其中生长出的电路包括接口导线及用于连接LED芯片和接口导线的导线，透明基板作为衬底；所述的芯片二极由于不需要焊接，采用透明电极，以增加芯片的发光面积；所述的成熟芯片制造技术是，采用有机金属化学气相沉积设备分层进行覆硅、上胶、光刻、蚀刻、镀膜、合金和磨片工艺；或者采用传统技术将LED芯片阵列贴装在印制好银浆电路(414)的第一透明基板(421)上，并通过倒装焊接或金丝正装焊接与第一透明基板(421)上的银浆电路(414)连接，获得LED照明大芯片，银浆电路(414)包括接口导线和连接LED芯片和接口导线的导线。

3.根据权利要求1所述的LED光机模组，其特征在于：所述LED驱动电源大芯片(410)包括第二透明基板(413)，第二透明基板(413)印制有银浆电路(414)，银浆电路(414)上形成有接口导线，接口导线有接入端和输出端；接入端的宽度与光机模板(43)导线接入端的宽度W_G相同或有与接插件相连的焊盘；输出端的接口导线数目和间距与LED照明大芯片(420)的接口导线相同，第二透明基板(413)上先粘贴未经封装的电源驱动晶圆级芯片(411)和整流桥晶圆级芯片(412)，然后将未经封装的电源驱动晶圆级芯片(411)和整流桥晶圆级芯片(412)焊接在第二透明基板(413)上；可将整流桥晶圆级芯片(412)合拼在电源驱动晶圆级芯片(411)中；第二透明基板(413)有接口导线端的宽度与LED照明大芯片的宽度W相同，高度为H2。

4.根据权利要求3所述的LED光机模组，其特征在于，所述LED光机模组上的LED驱动方法为：整流桥晶圆级芯片(412)上的整流桥将市电AC转化为脉动直流电，脉动直流电的电压大于零，小于等于脉动直流电额定最大工作电压VWR，在脉动直流电上设置3～7段LED负载，各段LED负载串联在一起形成LED负载串联段组，多个LED负载串联段组形成所述的LED芯片阵列，在脉动直流电的电压升高时，电源驱动晶圆级芯片(411)控制LED负载串联的段数逐级增加，在脉动直流电的电压下降时，控制LED负载串联的段数逐级减小，LED负载串联的段数为实际连入脉动直流电的LED负载段数。