[发明专利]一种用于减小自加热效应的SOI高压结构在审
| 申请号： | 201410216640.6 | 申请日： | 2014-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN105097732A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 徐帆;陈昭;蒋乐乐 | 申请（专利权）人： | 上海北京大学微电子研究院 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L23/367;H01L21/762 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 减小 加热 效应 soi 高压 结构 | ||
1.一种用于减小自加热效应的SOI高压结构，包括顶层硅、介质埋层及位于埋层下方的衬底，其特征在于，衬底层为N型硅或者P型硅，顶层硅和衬底层之间通过介质埋层进行隔离。
2.如权利要求1所述的减小自加热效应的SOI高压结构，其特征在于，所述介质埋层材料热导率大于SiO2。
3.如权利要求1所述的减小自加热效应的SOI高压结构，其特征在于，所述介质埋层采用Si3N4。
4.如权利要求3所述的介质埋层结构，其特征在于，介质埋层厚度应为0.08左右μm，小于0.3μm（与电子迁移率等因素有关）。
5.如权利要求3所述的介质埋层结构，其特征在于，该介质埋层为非连续的Si3N4，其上存在多个孔隙。
6.如权利要求5所述的介质埋层结构孔隙，其特征在于，所述孔隙尺寸相同，彼此间距相等。
7.一种减小自加热效应的SOI高压结构制造方法，该减小自加热效应的SOI高压结构包括介质埋层，包括生成该以Si3N4为材料的介质埋层的步骤，其特征在于，衬底层为N型硅或者P型硅，顶层硅和衬底层之间通过带有孔隙的介质埋层进行隔离。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述介质埋层材料为Si3N4或者导热率大于SiO2的其他合适的物质。
9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述介质埋层厚度应为0.08左右μm，小于0.3μm。
10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，介质埋层为具有多个孔隙的非连续结构，孔隙尺寸相同，彼此之间间距相等。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海北京大学微电子研究院，未经上海北京大学微电子研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410216640.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：焊盘结构及其制作方法
- 下一篇：多芯片封装体及其制造方法
