[发明专利]SOI器件新结构在审
| 申请号： | 201410216651.4 | 申请日： | 2014-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN105097928A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 徐帆;牟志强;蒋乐乐 | 申请（专利权）人： | 上海北京大学微电子研究院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | soi 器件 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种SOI高压器件新结构，包括漂移区，埋氧层，衬底，其特征是影响击穿电压主要因素是漏端纵向击穿电压，并且埋氧层结构可以提SOI器件的击穿电压。
2.根据权利要求1所术的SOI高压器件,其特征是源端p阱和漂移区形成的耗尽区不会在漏端击穿前击穿。
3.根据权利要求1所术的SOI高压器件,其特征是源端p阱下的漂移区足够厚。
4.根据权利要求1所术的SOI高压器件,其特征是漏端埋氧层结构可以提高氧化层承担的电压。
5.根据权利要求3所术的SOI高压器件,其特征是源端下方将是U型埋氧层。
6.根据权利要求4所术的SOI高压器件,其特征是漏端埋氧层也将是U型埋氧层。
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