[发明专利]ESD保护器件结构与系统

权利要求书

1.一种用于集成电路ESD保护的可控硅器件结构，包括由绝缘层隔开的两个P阱，每个P阱中各有一个NMOS器件，其特征在于，具有双向开启端。

2.如权利要求1所述的可控硅器件结构，其特征在于，所述器件衬底为P型。

3.如权利要求1或2所述的可控硅器件，其特征在于，所述器件具有由深N阱以及两边的N阱和在N阱上方的绝缘层共同建立的隔绝层。

4.如权利要求3所述的可控硅器件，其特征在于，P阱内部N+源区和N阱上方N+中间的栅极一起构成内建的NMOS器件。

5.如权利要求4所述的可控硅器件，其特征在于，在每个P阱中，N+源区和P+源区有共同的导线引出为开启端。

6.一种用于集成电路全芯片的ESD保护系统，其特征在于，包含4个权利要求1中所述可控硅器件。

7.如权利要求6所述的ESD保护系统，其特征在于，其中第一个可控硅器件连接于输入端与接地端之间，第二个可控硅器件连接于输出端与接地端之间，第三个可控硅器件连接于输入端与电源电压端之间，第四个可控硅器件连接于输出端与电源电压端之间。

8.如权利要求7所述的ESD保护系统，其特征在于，所述4个可控硅器件与被保护电路模块共用接地端。