[发明专利]电池隔膜的表面改性处理方法

权利要求书

1.电池隔膜的表面改性处理方法，其特征在于：在离子辅助电子束蒸发镀膜装置中，无机氧化物原料被加热蒸发并沉积至电池隔膜表面形成氧化物涂层；在氧化物涂层沉积过程中，硅氧烷类的有机单体被离子源离化并掺杂至无机氧化物涂层中。

2.如权利要求1所述电池隔膜的表面改性处理方法，其特征在于包括以下具体步骤：

在无机氧化物原料被加热蒸发并沉积至电池隔膜表面形成氧化物涂层步骤中：

①放置电池隔膜(3)和无机氧化物原料：将电池隔膜(3)和无机氧化物原料分别置入离子辅助电子束蒸发镀膜装置中的镀膜真空腔室(1)的顶部和加热坩埚(2)内，抽本底真空至压力低于5×10^-3Pa；

②对电池隔膜(3)进行镀膜前的表面清洗与活化：通过气路系统(5)向离子源供应纯度不低于99.99％的放电氩气，使镀膜真空腔室(1)的绝对压力处于10^-2Pa量级，开启离子源，离子束轰击电池隔膜表面，对电池隔膜(3)进行镀膜前的表面清洗与活化；

③使无机氧化物原料向电池隔膜(3)表面沉积：开启电子束加热蒸发系统的电源，使无机氧化物原料加热气化，并向电池隔膜(3)表面沉积；

在将硅氧烷类的有机单体被离子源离化并掺杂至无机氧化物涂层步骤中：

④硅氧烷类有机单体与无机氧化物分子一起沉积：沉积成膜过程中，通过气路系统(5)将计量后的硅氧烷类有机单体掺入放电氩气中，随放电氩气被离子源电离活化，与无机氧化物分子一起沉积在电池隔膜(3)表面；

⑤薄膜达到工艺厚度，关闭设备：待所沉积的薄膜达到工艺厚度，依次关闭电子束蒸发、硅氧烷类有机单体进气、放电氩气进气，关闭相关电源，对电池隔膜的单面镀膜完毕；

⑥重复上述步骤处理电池隔膜(3)的另一面：将电池隔膜(3)换面，重复上述步骤，对另一面进行镀膜处理。

3.如权利要求1或2所述电池隔膜的表面改性处理方法，其特征在于所述无机氧化物原料为化学稳定性高的二氧化硅、一氧化硅、三氧化二铝、二氧化锆中的任意一种或任意两种或任意三种或四种组合，其纯度不低于99.99％。

4.如权利要求3所述电池隔膜的表面改性处理方法，其特征在于所述离子辅助电子束蒸发镀膜装置包括真空系统、电子束加热蒸发系统、离子源系统及气路系统。

5.如权利要求4所述电池隔膜的表面改性处理方法，其特征在于所述真空系统包括调节真空压力的镀膜真空腔室(1)、真空获得组件、真空测量组件、真空抽速调节组件及放置电池隔膜的旋转架。

6.如权利要求5所述电池隔膜的表面改性处理方法，其特征在于所述电子束加热蒸发系统为e型电子枪加热蒸发系统或皮尔斯电子枪加热蒸发系统，该系统的加热坩埚(2)置于镀膜真空腔室(1)的底部。

7.如权利要求6所述电池隔膜的表面改性处理方法，其特征在于所述离子源系统为置于镀膜真空腔室(1)内的离子源(4)。

8.如权利要求7所述电池隔膜的表面改性处理方法，其特征在于所述气路系统，至少包括两路进气管，进气管上设有流量控制组件，所述流量控制组件优选采用气体质量流量计或微调阀。

9.如权利要求1或2所述电池隔膜的表面改性处理方法，其特征在于所述所述离子源4为霍尔离子源、考夫曼离子源、感应耦合离子源中的任意一种。

10.如权利要求1或2所述电池隔膜的表面改性处理方法，其特征在于所述硅氧烷类有机单体纯度不低于化学纯，为气态或容易气化的液体硅氧烷类化学品，优先选用六甲基二硅氧烷或八甲基环四硅氧烷。