[发明专利]电流舵结构的补偿电路和电流镜像电路

权利要求书

1.一种电流舵结构的补偿电路，用于对所述电流舵结构的电流进行补偿，所述电流舵结构包括第一MOS晶体管和第二MOS晶体管，其特征在于，所述补偿电路包括：

熔丝；

第三MOS晶体管，其中，所述第三MOS晶体管的栅极连接至所述第一MOS晶体管的栅极，所述第三MOS晶体管的源极和所述第一MOS晶体管的源极均连接至电源；以及

第四MOS晶体管，其中，所述第四MOS晶体管的栅极连接至所述第二MOS晶体管的栅极，

其中，所述第四MOS晶体管的源极与所述第三MOS晶体管的漏极相连接，所述第四MOS晶体管的漏极与所述熔丝的第一端相连接，所述熔丝的第二端与所述第二MOS晶体管的漏极相连接。

2.根据权利要求1所述的补偿电路，其特征在于，所述补偿电路还包括：

第五MOS晶体管，所述第五MOS晶体管的源极与所述第一MOS晶体管的源极相连接，所述第五MOS晶体管的漏极与所述第四MOS晶体管的漏极相连接，且与所述熔丝相连接，用于控制所述熔丝的熔断。

3.根据权利要求2所述的补偿电路，其特征在于，所述补偿电路还包括：

熔断电源，与所述第一MOS晶体管的源极相连接，用于在所述第五MOS晶体管导通时熔断所述熔丝。

4.一种电流镜像电路，其特征在于，包括：

电流舵结构；以及

一个或者多个补偿电路，所述补偿电路为权利要求1至3中任一项所述的补偿电路，与所述电流舵结构相连接。

5.根据权利要求4所述的电流镜像电路，所述电流舵结构包括：

基准电路，用于提供基准电流；以及

镜像电路，与所述基准电路构成共源共栅电流源，用于根据所述基准电流得到镜像电流，其中，所述镜像电路与所述补偿电路相连接。

6.根据权利要求5所述的电流镜像电路，其特征在于，所述镜像电路包括第一MOS晶体管和第二MOS晶体管，所述补偿电路包括第三MOS晶体管，第四MOS晶体管和熔丝，所述镜像电路与所述补偿电路相连接包括：

所述第三MOS晶体管的源极与所述第一MOS晶体管的源极相连接，所述第三MOS晶体管的漏极与所述第四MOS晶体管的源极相连接，所述第三MOS晶体管的栅极与所述第一MOS晶体管的栅极相连接；以及

所述第四MOS晶体管的漏极与所述熔丝的第一端相连接，所述第四MOS晶体管的栅极与所述第二MOS晶体管的栅极相连接，

其中，所述第三MOS晶体管的衬底与所述第四MOS晶体管的衬底相连接，所述第一MOS晶体管的衬底与所述第二MOS晶体管的衬底相连接。

7.根据权利要求5所述的电流镜像电路，其特征在于，所述基准电路包括：

基准电压；

可变电阻；

第十MOS晶体管，所述第十MOS晶体管的源极与电源相连接，所述第十MOS晶体管的漏极和所述第十MOS晶体管的栅极相连接，所述第十MOS晶体管的衬底与所述电源相连接；

第六MOS晶体管，所述第六MOS晶体管的源极与所述第十MOS晶体管的漏极相连接，所述第六MOS晶体管的漏极与所述第六MOS晶体管的栅极相连接，所述第六MOS晶体管的衬底与所述电源相连接；以及

第七MOS晶体管，所述第七MOS晶体管的漏极与所述第六MOS晶体管的漏极相连接，所述第七MOS晶体管的源极与所述可变电阻的第一端相连接，所述第七MOS晶体管的栅极连接至所述基准电压，所述第七MOS晶体管的衬底与所述可变电阻的第二端相连接。

8.根据权利要求7所述的电流镜像电路，其特征在于，所述镜像电路包括：

第一MOS晶体管，所述第一MOS晶体管的栅极与所述第十MOS晶体管的栅极相连接；以及

第二MOS晶体管，所述第二MOS晶体管的栅极与所述第六MOS晶体管的栅极相连接。

9.根据权利要求5所述的电流镜像电路，其特征在于，所述电流舵结构还包括互补开关管，与所述镜像电路相连接，用于输出不同的电流。

10.根据权利要求9所述的电流镜像电路，其特征在于，所述镜像电路包括第一MOS晶体管和第二MOS晶体管，所述互补开关管包括：

第八MOS晶体管，所述第八MOS晶体管的源极与所述第二MOS晶体管的漏极相连接，所述第八MOS晶体管的衬底与所述第一MOS晶体管的衬底和所述第二MOS晶体管的衬底均相连接，所述第八MOS晶体管的漏极作为第一输出端；以及

第九MOS晶体管，所述第九MOS晶体管的衬底与所述第八MOS晶体管的衬底相连接，所述第九MOS晶体管的源极与所述第八MOS晶体管的源极相连接，所述第九MOS晶体管的漏极作为第二输出端。