[发明专利]电流舵结构的补偿电路和电流镜像电路

说明书

技术领域

本申请涉及电路领域，具体而言，涉及一种电流舵结构的补偿电路和电流镜像电路。

背景技术

在电流舵结构的DAC中，要求精度较高的电流镜实现基准电路到输出电流的“复制”，但由于工艺和匹配的问题，在实际应用中，电流的精准镜像并不准确。由于这种不精准镜像会导致DAC输出线性度降低，使得电流镜失配。

在实际应用中，为了节省面积，在主电流镜并入小面积MOS做片后补偿，由CMOS开关管控制，但是，现有技术在每次上电补偿时，CMOS开关管都要进行一次开关动作，导致进行补偿麻烦，并且，CMOS开关管在饱和区的阻抗较高，不利于和主镜像管匹配。

针对现有技术中进行电流补偿时不利于和基准电路匹配的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

发明内容

本申请的主要目的在于提供一种电流舵结构的补偿电路和电流镜像电路，以解决现有技术中进行电流补偿时不利于和基准电路匹配的问题。

为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种电流舵结构的补偿电路。本申请的电流舵结构用于对所述电流舵结构的电流进行补偿，所述电流舵结构包括第一MOS晶体管和第二MOS晶体管，其特征在于，所述补偿电路包括：熔丝；第三MOS晶体管，其中，所述第三MOS晶体管的栅极连接至所述第一MOS晶体管的栅极，所述第三MOS晶体管的源极和所述第一MOS晶体管的源极均连接至电源；以及第四MOS晶体管，其中，所述第四MOS晶体管的栅极连接至所述第二MOS晶体管的栅极，其中，所述第四MOS晶体管的源极与所述第三MOS晶体管的漏极相连接，所述第四MOS晶体管的漏极与所述熔丝的第一端相连接，所述熔丝的第二端与所述第二MOS晶体管的漏极相连接。

进一步地，所述补偿电路还包括：第五MOS晶体管，所述第五MOS晶体管的源极与所述第一MOS晶体管的源极相连接，所述第五MOS晶体管的漏极与所述第四MOS晶体管的漏极相连接，且与所述熔丝相连接，用于控制所述熔丝的熔断。

进一步地，所述补偿电路还包括：熔断电源，与所述第一MOS晶体管的源极相连接，用于在所述第五MOS晶体管导通时熔断所述熔丝。

为了实现上述目的，根据本申请的另一方面，提供了一种电流镜像电路。根据本申请的电流镜像电路包括：电流舵结构；以及一个或者多个补偿电路，所述补偿电路为本申请上述补偿电路中的任一项所述的补偿电路，与所述电流舵结构相连接。

进一步地，所述电流舵结构包括：基准电路，用于提供基准电流；以及镜像电路，与所述基准电路构成共源共栅电流源，用于根据所述基准电流得到镜像电流，其中，所述镜像电路与所述补偿电路相连接。

进一步地，所述镜像电路包括第一MOS晶体管和第二MOS晶体管，所述补偿电路包括第三MOS晶体管，第四MOS晶体管和熔丝，所述镜像电路与所述补偿电路相连接包括：所述第三MOS晶体管的源极与所述第一MOS晶体管的源极相连接，所述第三MOS晶体管的漏极与所述第四MOS晶体管的源极相连接，所述第三MOS晶体管的栅极与所述第一MOS晶体管的栅极相连接；以及所述第四MOS晶体管的漏极与所述熔丝的第一端相连接，所述第四MOS晶体管的栅极与所述第二MOS晶体管的栅极相连接，其中，所述第三MOS晶体管的衬底与所述第四MOS晶体管的衬底相连接，所述第一MOS晶体管的衬底与所述第二MOS晶体管的衬底相连接。

进一步地，所述基准电路包括：基准电压；可变电阻；第十MOS晶体管，所述第十MOS晶体管的源极与电源相连接，所述第十MOS晶体管的漏极和所述第十MOS晶体管的栅极相连接，所述第十MOS晶体管的衬底与所述电源相连接；第六MOS晶体管，所述第六MOS晶体管的源极与所述第十MOS晶体管的漏极相连接，所述第六MOS晶体管的漏极与所述第六MOS晶体管的栅极相连接，所述第六MOS晶体管的衬底与所述电源相连接；以及第七MOS晶体管，所述第七MOS晶体管的漏极与所述第六MOS晶体管的漏极相连接，所述第七MOS晶体管的源极与所述可变电阻的第一端相连接，所述第七MOS晶体管的栅极连接至所述基准电压，所述第七MOS晶体管的衬底与所述可变电阻的第二端相连接。

进一步地，所述镜像电路包括：第一MOS晶体管，所述第一MOS晶体管的栅极与所述第十MOS晶体管的栅极相连接；以及第二MOS晶体管，所述第二MOS晶体管的栅极与所述第六MOS晶体管的栅极相连接。

进一步地，所述电流舵结构还包括互补开关管，与所述镜像电路相连接，用于输出不同的电流。