[发明专利]薄膜晶体管基板及其制作方法及显示器

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，包括：

一基板；

一栅极，配置于该基板上；

一栅极绝缘层，配置于该基板上并覆盖该栅极；

一主动层，配置于该栅极绝缘层上并位于该栅极上方，其中该主动层具有一第一氧空缺部分、一第二氧空缺部分与一第一部分，该第一部分具有一第一端部及一第二端部；

一源极与一漏极，配置于该主动层上，该源极直接连接该第一氧空缺部分与该第一端部，该漏极直接连接该第二氧空缺部分与该第二端部；

其中该第一氧空缺部分与该第二氧空缺部分分别位于该主动层的相对两侧，并且该第一氧空缺部分与该第二氧空缺部分分别与该栅极绝缘层的一上表面接触，

其中该第一氧空缺部分与该第二氧空缺部分是由一蚀刻制作工艺在蚀刻形成该主动层的同时蚀刻该主动层的两端所形成。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中该第一氧空缺部分与该第二氧空缺部分的载流子浓度大于该主动层的该第一部分的载流子浓度，该第一部分为该主动层除了该第一氧空缺部分与该第二氧空缺部分以外的部分。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其中该第一氧空缺部分与该第二氧空缺部分的载流子浓度为10¹⁹每立方厘米至10²²每立方厘米。

4.如权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其中该第一部分的载流子浓度为10¹⁶每立方厘米至10¹⁸每立方厘米。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中该主动层的厚度为300埃至700埃。

6.一种薄膜晶体管基板的制作方法，包括：

在一基板上形成一栅极；

在该基板上形成一栅极绝缘层以覆盖该栅极；

在该栅极绝缘层上形成一主动层，该主动层位于该栅极上方；

在该主动层中形成一第一氧空缺部分、一第二氧空缺部分与一第一部分，该第一部分具有一第一端部及一第二端部，其中该第一氧空缺部分与该第二氧空缺部分是由一蚀刻制作工艺在蚀刻形成该主动层的同时蚀刻该主动层的两端所形成；以及

在该主动层上形成一源极以及一漏极，其中该源极直接连接该第一氧空缺部分与该第一端部，该漏极直接连接该第二氧空缺部分与该第二端部；

其中该第一氧空缺部分与该第二氧空缺部分分别位于该主动层的相对两侧，并且该第一氧空缺部分与该第二氧空缺部分分别与该栅极绝缘层的一上表面接触。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其中形成该主动层、该源极以及该漏极的步骤包括：

在该栅极绝缘层上形成一主动材料层；

通过该蚀刻制作工艺进行图案化该主动材料层以形成该主动层；以及

形成该源极与该漏极以分别覆盖该第一氧空缺部分以及该第二氧空缺部分。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其中该蚀刻制作工艺包括一湿式蚀刻制作工艺。

9.如权利要求7所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其中该蚀刻制作工艺包括一湿式蚀刻制作工艺以及一干式蚀刻制作工艺。

10.一种显示器，包括：

如权利要求1所述的薄膜晶体管基板；

一另一基板，与该薄膜晶体管基板相对设置；以及

一显示介质，形成于该薄膜晶体管基板与该另一基板之间。

11.如权利要求10所述的显示器，其中该显示介质为一液晶层或是一有机发光层。