[发明专利]快闪存储器的形成方法有效
| 申请号： | 201410219995.0 | 申请日： | 2014-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN105097709B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 胡建强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 闪存 形成 方法 | ||
1.一种快闪存储器的形成方法，其特征在于，所述快闪存储器的形成方法至少包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成至少两个栅极堆栈结构；
在每一所述栅极堆栈结构的两侧形成第一侧墙；
在相邻两所述栅极堆栈结构之间的半导体衬底上形成镍化物；
在所述第一侧墙和所述镍化物上形成第二侧墙，所述第二侧墙的材质为氮氧化硅。
2.根据权利要求1所述的快闪存储器的形成方法，其特征在于：相邻两所述栅极堆栈结构之间间隙的高宽比大于4.5。
3.根据权利要求1所述的快闪存储器的形成方法，其特征在于：所述第一侧墙的材质为氧化硅，厚度为
4.根据权利要求1所述的快闪存储器的形成方法，其特征在于：所述栅极堆栈结构从下至上依次包括：栅氧化层、浮栅层、ONO层、控制栅层和氮化硅层。
5.一种快闪存储器的形成方法，其特征在于，所述快闪存储器的形成方法至少包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上包括中心区域和外围区域；
在所述中心区域的半导体衬底上形成至少两个栅极堆栈结构，在所述外围区域的所述半导体衬底上从下至上依次形成栅氧化层和多晶硅层；
在所述栅极堆栈结构两侧形成第一侧墙；
在相邻两所述栅极堆栈结构之间的半导体衬底上形成第一镍化物；
在所述第一侧墙外侧形成第二侧墙；
对所述多晶硅层和栅氧化层进行选择性刻蚀，以在所述外围区域形成至少两个栅极结构；
在所述栅极结构两侧形成第三侧墙；
在所述栅极结构的顶部以及两栅极结构之间的第三侧墙之间的半导体衬底上形成第二镍化物。
6.根据权利要求5所述的快闪存储器的形成方法，其特征在于：在所述栅极堆栈结构两侧形成第一侧墙的步骤之前，还包括在在所述外围区域的多晶硅层上形成保护层的步骤，在所述第一侧墙和所述第一镍化物上形成第二侧墙的步骤之后，在对所述多晶硅层和栅氧化层进行选择性刻蚀的步骤之前，还包括去除所述保护层，以露出所述多晶硅层的步骤。
7.根据权利要求5所述的快闪存储器的形成方法，其特征在于：在所述栅极结构两侧形成第三侧墙的步骤包括：在所述第二侧墙、所述外围区域的栅极结构和暴露出来的半导体衬底上形成第三侧墙层，所述第三侧墙层至少填满相邻两所述栅极堆栈结构之间的空隙。
8.根据权利要求5所述的快闪存储器的形成方法，其特征在于：相邻两所述栅极堆栈结构之间间隙的高宽比大于4.5。
9.根据权利要求5所述的快闪存储器的形成方法，其特征在于：所述第一侧墙的材质为氧化硅，厚度为
10.根据权利要求5所述的快闪存储器的形成方法，其特征在于：所述第二侧墙的材质为氮化硅，厚度为
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
