[发明专利]快闪存储器的形成方法

说明书

本发明提供一种快闪存储器的形成方法，所述快闪存储器的形成方法至少包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成至少两个栅极堆栈结构；在每一所述栅极堆栈结构的两侧形成第一侧墙；在相邻两所述栅极堆栈结构之间的半导体衬底上形成镍化物；在所述第一侧墙和所述镍化物上形成第二侧墙。本发明的技术方案中通过先形成好栅极堆栈结构之间的镍化物，再形成外侧的第二侧墙的方式，避免了沉积镍层时，由于第二侧墙的阻挡，镍层接触不到半导体衬底的问题，导致后续不能形成镍化物的问题。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种快闪存储器的形成方法。

背景技术

快闪存储器被广泛应用于电子产品中，其中，现有工艺中的快闪存储器的形成一般主要包括：

参考图1所示，提供半导体衬底100，在所述半导体衬底100上包括中心区域90和外围区域70。其中，在所述中心区域90的半导体衬底100上形成多个快闪存储器的栅极堆栈结构20，所述栅极堆栈结构20的两侧形成有栅极堆栈结构20的第一侧墙31，所述第一侧墙31外侧形成有栅极堆栈结构20的第二侧墙32。在所述外围区域70的半导体衬底100上形成有多个外围器件的栅极结构40，所述栅极结构40的两侧形成有栅极结构40的第一侧墙51，所述第一侧墙31的外侧形成有所述栅极结构40的第二侧墙52。

接下来，参考图2所示，在所述半导体衬底100、栅极堆栈结构20、栅极堆栈结构20的第二侧墙31、栅极结构40和栅极结构40的第二侧墙32上形成镍层600，形成镍层600的方式可以为沉积。

接下来，参考图3所示，对图2中所示的半导体结构进行退火，使得在栅极堆栈结构20和栅极结构40顶部的表面与相邻两栅极堆栈结构20或者相邻两栅极结构40之间的半导体衬底100的表面形成镍化物77、79，以形成欧姆接触，减小接下来形成在所述镍化物77、79上的接触电极的接触电阻。另外，本步骤还包括去除未反应的镍层600的步骤。

然而，随着发展高密度的，小尺寸的快闪存储器元件的发展，相邻的两栅极堆栈结构20之间的间距成倍缩小，而栅极堆栈结构20的高度并不会成相应比例的缩小，使得相邻的两栅极堆栈结构20之间的间距的高宽比非常大。尤其在相邻的两栅极堆栈结构20之间的间距的高宽比大到超过4.5后，相邻的栅极堆栈结构20的第二侧墙32连接在一起，阻挡镍层600接触到半导体衬底100的表面，也就不能在这相邻的两栅极堆栈结构20之间的半导体衬底100上形成镍化物77，不能使得后续形成的接触电极的接触电阻减小。这使得快闪存储器的性能大受影响。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种快闪存储器的形成方法，用于解决现有技术中较小尺寸的快闪存储器的形成方法中，不能在相邻栅极堆栈结构之间形成镍化物的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种快闪存储器的形成方法，所述快闪存储器的形成方法至少包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成至少两个栅极堆栈结构；

在每一所述栅极堆栈结构的两侧形成第一侧墙；

在相邻两所述栅极堆栈结构之间的半导体衬底上形成镍化物；

在所述第一侧墙和所述镍化物上形成第二侧墙。

优选地，相邻两所述栅极堆栈结构之间间隙的高宽比大于4.5。

优选地，所述第一侧墙的材质为氧化硅，厚度为

优选地，所述栅极堆栈结构从下至上依次包括：栅氧化层、浮栅层、ONO层、控制栅层和氮化硅层。

相应的，本发明还提供一种快闪存储器的形成方法，所述快闪存储器的形成方法至少包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上包括中心区域和外围区域；