[发明专利]上升沿检测电路

权利要求书

1.一种上升沿检测电路，设有输入端S及输出端P，其特征在于：所述输入端S与NMOS晶体管M1的栅极相接，NMOS晶体管M1的源极与NMOS晶体管M2的漏极相接，NMOS晶体管M2的源极接地，NMOS晶体管M1的漏极一路与双稳态存储单元MEM1相接，另一路通过反向器INV1与输出端P相接；双稳态存储单元MEM1的另一端一路与NMOS晶体管M3的漏极相接，另一路通过非对称延迟电路H与NMOS晶体管M3的栅极相接，NMOS晶体管M3的源极接地；与输入端S还接有反向器INV2，反向器INV2的输出端与NMOS晶体管M4的栅极相接，NMOS晶体管M4的漏极与双稳态存储单元MEM2相接，NMOS晶体管M4的源极接地；双稳态存储单元MEM2的另一端一路与NMOS晶体管M2的栅极相接，另一路与NMOS晶体管M5的漏极相接，NMOS晶体管M5的源极接地，NMOS晶体管M5的栅极与非对称延迟电路H的输入端相接。

2.根据权利要求1所述的上升沿检测电路，其特征在于：所述非对称延迟电路H有输入端L1和输出端L2，输入端L1与输出端L2之间接有多个相串联的延迟电路D1~Di，输入端L1还通过反向器INV3与多个NMOS晶体管N1~Ni的栅极相接，每个NMOS晶体管Ni的漏极分别与相对应的延迟电路Di的输出端相接，每个NMOS晶体管Ni的源极接地。