[发明专利]一种半导体晶片的切割方法有效
申请号: | 201410223538.9 | 申请日: | 2014-05-23 |
公开(公告)号: | CN103956337A | 公开(公告)日: | 2014-07-30 |
发明(设计)人: | 游佩武;张进成;裘立强;王毅 | 申请(专利权)人: | 扬州杰利半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;B23K26/00 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 周全 |
地址: | 225008 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 晶片 切割 方法 | ||
1.一种半导体晶片的切割方法,所述晶片呈圆形、且由若干横排、竖排相互交叉连为一体的芯片组成,所述晶片的背面呈平面;
其特征在于,包括以下步骤:
1)、将所述晶片正面朝上放置于激光切割机的切割台上,待切割;
2)、沿晶片第一横排芯片的外端面和第一竖排芯片的外端面分别进行一次切割,形成切割道一和切割道二,所述切割道一和切割道二呈半切透状态;
3)、通过所述切割道一和切割道二,分别去除第一横排芯片的外端边缘部和第一竖排芯片的外端边缘部,建立切割基准线一和切割基准线二,所述切割基准线一和切割基准线二之间的夹角为90°;
4)、将所述晶片背面朝上放置于激光切割机的切割台上,待切割;
5)、所述晶片的背面切割呈半切透状态,所述芯片呈长方形,所述芯片的长为横向间距一、宽为横向间距二;
5.1)、将切割基准线一水平设置、且作为基准线,激光切割机沿设定的均布的横向间距一依次切割,其中,切割台先沿横向间距一移动,然后,切割台左右移动,完成一次横向切割;
5.2)、将切割台旋转90°;
5.3)、将切割基准线二水平设置、且作为基准线,激光切割机沿设定的均布的横向间距二依次切割,其中,切割台先沿横向间距二移动,然后,切割台左右移动,完成一次横向切割;
5.4)、切割完毕,放置待裂晶片;
6)、在工作台上放置10-15张滤纸,滤纸上放置一张麦拉纸,用毛笔蘸取异丙醇均匀涂在麦拉纸上;
7)、取待裂晶片,将晶片背面朝下放置于涂有异丙醇的麦拉纸上;
8)、取另一张麦拉纸,在麦拉纸上均匀涂上异丙醇,并覆盖在晶片的正面;
9)、用胶木棒平行于水平切割道方向,向前匀速推动,将晶片裂开,裂片工艺完毕。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造