[发明专利]一种半导体晶片的切割方法

说明书

技术领域

本发明涉及晶片生产技术领域，尤其涉及一种半导体晶片的切割方法。

背景技术

    随着半导体行业的迅速发展，拥有一种既能够保证良好的晶粒外观、生产工艺又简单方便的切割方式，是保证产品的信赖性，增加企业形象，增强企业竞争力不可或缺的技术攻关。

在微电子行业半导体制程中，对于GPP二极管晶片 (具有玻璃钝化保护 P/N 结的类型晶片) ，通常采用正面切割或背面切割（在晶片背面蚀刻沟槽后根据背面切割线进行背面切割）的切割方法；

然而，正面切割工艺简单，但是由于正面切割存在对PN结钝化层产生应力引起IR大及可靠性差等缺陷；

如图9所示，背面切割由于需在晶片背面蚀刻线切割道180，导致工艺复杂，降低了工作效率，增加了生产成本。

发明内容

本发明针对以上问题，提供了一种在晶片背面无需蚀刻切割道，工艺简单，有效提高工作效率的半导体晶片的切割方法。

    本发明的技术方案是：所述晶片呈圆形、且由若干横排、竖排相互交叉连为一体的芯片组成，所述晶片的背面呈平面；

    包括以下步骤：

1）、将所述晶片正面朝上放置于激光切割机的切割台上，待切割；

2）、沿晶片第一横排芯片的外端面和第一竖排芯片的外端面分别进行一次切割，形成切割道一和切割道二，所述切割道一和切割道二呈半切透状态；

3）、通过所述切割道一和切割道二，分别去除第一横排芯片的外端边缘部和第一竖排芯片的外端边缘部，建立切割基准线一和切割基准线二，所述切割基准线一和切割基准线二之间的夹角为90°；

4）、将所述晶片背面朝上放置于激光切割机的切割台上，待切割；

5）、所述晶片的背面切割呈半切透状态，所述芯片呈长方形，所述芯片的长为横向间距一、宽为横向间距二；

5.1）、将切割基准线一水平设置、且作为基准线，激光切割机沿设定的均布的横向间距一依次切割，其中，切割台先沿横向间距一移动，然后，切割台左右移动，完成一次横向切割；

5.2）、将切割台旋转90°；

5.3）、将切割基准线二水平设置、且作为基准线，激光切割机沿设定的均布的横向间距二依次切割，其中，切割台先沿横向间距二移动，然后，切割台左右移动，完成一次横向切割；

5.4）、切割完毕，放置待裂晶片；

    6）、在工作台上放置10-15张滤纸，滤纸上放置一张麦拉纸，用毛笔蘸取异丙醇均匀涂在麦拉纸上；

7）、取待裂晶片，将晶片背面朝下放置于涂有异丙醇的麦拉纸上；

8）、取另一张麦拉纸，在麦拉纸上均匀涂上异丙醇，并覆盖在晶片的正面；

    9）、用胶木棒平行于水平切割道方向，向前匀速推动，将晶片裂开，裂片工艺完毕。

本发明在晶片背面没有线切割道的情况下，首先，在晶片正面切割2刀，两切割道之间的夹角为90°，并将其边缘裂开即将第一横排、第一竖排的芯片边缘切割后掰掉，以此作为切割基准线；然后，根据切割线及芯片的尺寸进行背面切割，背面切割呈现半切透状态；

最后，使用正面裂片的方式将晶片分割成符合要求尺寸的单小芯片。

本发明省略了晶片的背面蚀刻步骤，减少了生产工艺流程中的步骤，进行背切割作业，降低了成本，同时，降低由于工序增加导致的异常发生，提升二极管芯片的整体性能。

附图说明

图1是本发明中步骤1)的状态参考图，

图2是本发明中步骤2)的状态参考图，

图3是本发明中步骤3)的状态参考图，

图4是本发明中步骤5.1)的状态参考图，

图5是本发明中步骤5.2）、5.3)的状态参考图，

图6是本发明中裂片工艺的状态参考图，

图7是本发明中晶片的状态参考图，

图8是本发明中晶片背面的状态参考图，

图9是现有技术中晶片背面的状态参考图；

    图中1是晶片，11是切割道一，12是切割道二，13是切割基准线一，14是切割基准线二，15是边缘部一，16是边缘部二，17是正面，18是背面，180是线切割道，

    2是工作台，3是滤纸，4是麦拉纸一，5是麦拉纸二，6是切割道，

    a表示横向间距一，b表示横向间距二。

具体实施方式