[发明专利]一种宽带带通滤波器结构

权利要求书

1.一种宽带带通滤波器结构，其特征在于，该带通滤波器结构整体是一个陶瓷体，周围为金属外壳，金属外壳内部共有五层电介质层，层与层之间均填充陶瓷介质材料；该宽带带通滤波器结构包括第一电感的上层线圈[L11]、第一电感的下层线圈[L12]、第二电感的上层线圈[L21]、第二电感的下层线圈[L22]、第三电感的上层线圈[L31]、第三电感的下层线圈[L32]、第四电感的上层线圈[L41]、第四电感的下层线圈[L42]、第一电容的上极板[C11]、第一电容的下极板[C12]、第二电容的上极板[C21]、第二电容的下极板[C22]、第三电容的上极板[C31]、第三电容的下极板[C32]、第四电容的上极板[C41]、第四电容的下极板[C42]、耦合极板[P]、第一金属通孔[M1]、第二金属通孔[M2]、第三金属通孔[M3]和第四金属通孔[M4]；

其中第一电感的上层线圈[L11]、第一电感的下层线圈[L12]、第二电感的上层线圈[L21]、第二电感的下层线圈[L22]、第三电感的上层线圈[L31]、第三电感的下层线圈[L32]、第四电感的上层线圈[L41]、第四电感的下层线圈[L42]均为单层矩形螺旋线圈结构，第一电容的上极板[C11]、第一电容的下极板[C12]、第二电容的上极板[C21]、第二电容的下极板[C22]、第三电容的上极板[C31]、第三电容的下极板[C32]、第四电容的上极板[C41]、第四电容的下极板[C42]、耦合极板[P]均为单层平板金属结构，第一金属通孔[M1]、第二金属通孔[M2]、第三金属通孔[M3]、第四金属通孔[M4]均为金属导体柱；

带通滤波器的信号输入端接第一电感的上层线圈[L11]，上层线圈[L11]通过第一金属通孔[M1]连接到第一电感的下层线圈[L12]并接地，第一电容的上极板[C11]与第一电感的上层线圈[L11]相连接，下极板[C12]为输出端接地，上述器件构成第一并联谐振单元；

第二电感的下层线圈[L22]通过第二金属通孔[M2]连接到第二电感的上层线圈[L21]，第二电容的下极板[C22]与第二电感的下层线圈[L22]相连接，上极板[C11]为输出端接地，上述器件构成第二并联谐振单元；

第三电感的上层线圈[L31]通过第三金属通孔[M3]连接到第三电感的下层线圈[L32]，第三电容的上极板[C31]与第三电感的上层线圈[L31]相连接，下极板[C32]为输出端接地，上述器件构成第三并联谐振单元；

第四电感的上层线圈[L41]通过金属通孔[M4]连接到第四电感的下层线圈[L42]，第四电容的上极板[C41]与第一电感的上层线圈[L41]相连接，下极板[C42]为输出端接地，上述器件构成第四并联谐振单元。

2.根据权利要求1所述的宽带带通滤波器结构，其特征在于，第一电感的上层线圈[L11]、第一电容的上极板[C11]、第四电感的上层线圈[L41]、第四电容的上极板[C41]位于同一电介质层上；第一电感的下层线圈[L12]、第一电容的下极板[C12]、第四电感的下层线圈[L42]、第四电容的下极板[C42]位于同一电介质层上；第二电感的上层线圈[L21]、第二电容的上极板[C21]、第三电感的上层线圈[L31]、第三电容的上极板[C31]位于同一电介质层上；第二电感的下层线圈[L22]、第二电容的下极板[C22]、第三电感的下层线圈[L32]、第三电容的下极板[C32]位于同一电介质层上。

3.根据权利要求1所述的宽带带通滤波器结构，其特征在于，所述第一电感的上层线圈[L11]和第四电感的上层线圈[L41]具有相同的形状、第一电感的下层线圈[L12]和第四电感的下层线圈[L42]具有相同的形状、第二电感的上层线圈[L21]和第三电感的上层线圈[L31]具有相同的形状、第二电感的下层线圈[L22]和第三电感的下层线圈[L42]具有相同的形状、第一电容的上极板[C11]和第四电容的上极板[C41]具有相同的形状、第一电容的下极板[C12]和第四电容的下极板[C42]具有相同的形状、第二电容的上极板[C21]和第三电容的上极板[C31]具有相同的形状、第二电容的下极板[C22]和第三电容的下极板[C32]具有相同的形状。

4.根据权利要求1所述的宽带带通滤波器结构，其特征在于，在第二电容的下极板[C22]和第三电容的下极板[C32]下面是耦合极板[P]，耦合极板[P]位于单独的一个电介质层上。

5.根据权利要求1所述的宽带带通滤波器结构，其特征在于，第一电感的上层线圈[L11]、第一电感的下层线圈[L12]、第二电感的上层线圈[L21]、第二电感的下层线圈[L22]、第三电感的上层线圈[L31]、第三电感的下层线圈[L32]、第四电感的上层线圈[L41]、第四电感的下层线圈[L41]、第一电容的上极板[C11]、第一电容的下极板[C12]、第二电容的上极板[C21]、第二电容的下极板[C22]、第三电容的上极板[C31]、第三电容的下极板[C32]、第四电容的上极板[C41]、第四电容的下极板[C42]、耦合极板[P]、第一金属通孔[M1]、第二金属通孔[M2]、第三金属通孔[M3]、第四金属通孔[M4]均为多层低温共烧陶瓷工艺烧制的器件。