[发明专利]一种由硫酸钠型盐矿生产的低硫大晶粒盐及其生产方法有效
申请号: | 201410225986.2 | 申请日: | 2014-05-26 |
公开(公告)号: | CN104016378A | 公开(公告)日: | 2014-09-03 |
发明(设计)人: | 戴克洋;王桂春;周兵;陈洪;仇耀军;刘春华;郑仲军 | 申请(专利权)人: | 江苏井神盐化股份有限公司;江苏省制盐工业研究所 |
主分类号: | C01D3/08 | 分类号: | C01D3/08;C01F11/24 |
代理公司: | 北京卓恒知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11394 | 代理人: | 唐曙晖;刘明芳 |
地址: | 223200 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硫酸钠 盐矿 生产 低硫大 晶粒 及其 方法 | ||
1.一种由硫酸钠型盐矿生产的低硫大晶粒盐,其特征在于:产品氯化钠干基含量不小于99.50重量%,优选不小于99.80重量%,硫酸根含量不大于0.2重量%,优选不大于0.1重量%,粒度0.4mm以上比例大于70重量%,优选大于80重量%,粒度0.15mm以下比例不大于1重量%,优选不大于0.5重量%,更优选不大于0.1重量%,产品不添加任何抗结剂,抗结块周期大于4个月,优选大于5个月,更优选大于6个月。
2.权利要求1的低硫大晶粒盐的制备方法,其特征在于:
(A)以氨碱废液或氨碱废液与水掺兑后注入硫酸钠型盐矿进行井下脱硫,生产氯化钙含量40~120g/L,镁含量为0g/L,硫酸钙含量0.2~1.5g/L,氯化钠饱和的高钙卤水。高钙卤水氯化钙含量优选50~115g/L,再优选60~110g/L,最优选70~100g/L。高钙卤水硫酸钙含量优选0.5~1.5g/L,再优选0.4~1.0g/L,最优选0.2~0.5g/L。氨碱废液与水的掺兑比例为氨碱废液:水=1:0.1-2,优选1:0.1-1,再优选1:0.1-0.5,最优选1:0.2;
(B)将高钙卤水任选预热(例如至45~52℃,优选通过分别与二次蒸汽(一级预热)和/或冷凝水(二级预热)进行热交换来预热),送入四效卤水浓缩系统处理,浓缩后的悬浮液经盐浆泵输送至旋流器进行固液分离,底流回到原料卤水桶,顶流经泵进至一级MVR蒸发制盐工序;
(C)一级MVR制盐蒸发浓缩的盐浆经旋流器固液分离,底流盐浆再经离心分离得散湿盐,散湿盐经皮带送至盐干燥车间,得低硫大晶粒盐。
3.根据权利要求2所述的方法,其进一步包括:
(D)MVR制盐蒸发后旋流器顶流液和离心分离清液送入第二级MVR蒸发和钙液浓缩系统,钙液浓缩系统产生的盐浆回溶沉清再利用,部分清液(含CaCl2约40%)作为产品液体钙出售,剩余氯化钙清液经两效高温蒸发、冷却结片工序生成固体二水氯化钙产品。
4.根据权利要求2或3所述的方法,其中,步骤(C)离心分离使用福莱姆P80或P85双级推料离心机,离心脱水后散湿盐含水不大于2.5%。
5.根据权利要求2~4的任一项所述的方法,其中,步骤(B)四效卤水浓缩系统温度分别约为47~57℃、60~70℃、76~88℃、100~115℃,优选50~54℃、62~67℃、79~85℃、102~110℃,更优选52℃、65℃、82℃、106℃,末效出料液氯化钙浓度60~120g/l,优选70~110g/L,再优选80~100g/L,最优选85~95g/L。
6.根据权利要求2~5的任一项所述的方法,其中,MVR蒸发罐固液比控制在20~30%,优选22~28%,再优选23~27%,最优选24~26%。出料液氯化钙浓度120~180g/l,优选130~170g/L,再优选140~160g/L,最优选150~160g/L。
7.根据权利要求2~6的任一项所述的方法,其中,所使用的MVR制盐蒸发系统采用外热式强制正循环轴向进料,包括:
蒸发室;
中心引流筒,其容纳于蒸发室中;
蒸发室内锥,其设置在蒸发室中部且位于中心引流筒下方,蒸发室内锥的上端与蒸发室的内壁连接,中心引流筒的下部靠近蒸发室内锥或承载于蒸发室内锥上;
清液转料管,其在蒸发室外壁上设置、位于蒸发室内锥下侧与蒸发室圆筒之间的空间的上端或上部,
育晶沉降室折流筒,其在蒸发室内锥下方且偏心安装;
上循环管,其上端穿过蒸发室的下部,进入蒸发室内,并伸入到育晶沉降室折流筒内;
外循环进料喷嘴,其安装在上循环管的上端管口的上方、自育晶沉降室折流筒内插入中心引流筒的下部内;
加热室,其上端与上循环管的下端连接;
下循环管,其上端连接到蒸发室内锥下侧与蒸发室圆筒之间的空间的上部,其下端连接到加热室的下端;
强制循环泵,其安装在下循环管与加热室之间;
盐脚,其安装在蒸发室的底部;
二次蒸汽管,其位于蒸发室的上封头的顶端;
排汽管,其下端安装在蒸发室圆筒壁上并且排汽管与蒸发室圆筒之间的接口位于蒸发室内锥下侧与蒸发室圆筒之间的空间的上端或上部。
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