[发明专利]复合介质栅MOSFET光敏探测器的复位方法

权利要求书

1. 复合介质栅MOSFET光敏探测器的复位方法，光敏探测器为由成像器件单元排列组成的阵列结构，其特征在于，复位采用FN隧穿的方法，具体包括如下步骤：

（1）栅极加正电压，源端和衬底加相同的负电压，将所有成像器件单元的阈值电压通过FN隧穿注入的方式提高到3V～4V，对阵列成像后的成像器件单元阈值电压分布起到初步收敛的作用；

（2）栅极加负电压，源端和衬底加相同的正电压，将阵列中所有成像器件单元的阈值电压通过FN隧穿方式降低到低位阈值电压，转移出所有成像器件单元光电子存储层的多余电子；

（3）栅极加正电压，源端和衬底加相同负电压，这里的电压条件比步骤（1）的电压条件低，使电子从源端隧穿到浮栅中，或使浮栅中的空穴隧穿到源端，从而将阵列所有成像器件单元的阈值电压注入到一个适中的数值，作为下一次成像的初始阈值电压。

2. 根据权利要求1所述的复合介质栅MOSFET光敏探测器的复位方法，其特征在于，所述步骤（2）中的低位阈值电压为0.5V，步骤（3）中阈值电压注入达到的数值为1V。