[发明专利]清洗多晶硅反应釜的高压旋转喷杆装置

说明书

技术领域

本发明属于清洗设备技术领域，涉及一种清洗用的高压水喷杆装置，尤其涉及一种清洗多晶硅反应釜的高压旋转喷杆装置。

背景技术

多晶硅(polycrystalline silicon)有灰色金属光泽，密度2.32-2.34g/cm³。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化，再经冷凝、精馏、还原而得。

多晶硅的生产技术主要为改良西门子法和硅烷法，无论是哪种方法，都需要将多晶硅进行冷却结晶沉淀，在这个过程中，需要用到反应釜或流化床进行结晶，目前以使用反应釜结晶较多。结晶完成后，需要对反应釜进行清洗，如清洗不完全，则会导致下次结晶时杂质含量较多或结晶不完全。现有的清洗工序通常是人工用水枪进行冲洗，冲洗时间较长，且无法对反应釜内部进行360°冲洗，因此反应釜清洗不完全导致的质量事故时有发生。

人们经过不断的探索，提出了各种各样的解决方案，如中国专利文献公开了一种喷杆结构[申请号：201220462149.8]，包括进水座、调整座、固定螺母以和喷嘴套，所述进水座依序包括连接段、止挡段、接合段与外螺纹段，所述连接段与所述止挡段之内部轴向贯穿有一螺孔，所述接合段径向设有一凹槽，所述凹槽内设有一弹性件与一球体，所述外螺纹段轴向设有第一容槽、第二容槽与第三容槽，所述第一容槽、第二容槽与第三容槽分别透过第一水道、第二水道与第三水道连通螺孔，所述第一容槽内设有第一滚珠，所述第二容槽内设有第二滚珠等。上述方案通过第一定位槽、第二定位槽、第三定位槽配合球体可使喷嘴套定位，以快速切换不同的喷洒模式，且喷嘴套外缘之第一凸缘、第二凸缘与第三凸缘，可引导使用者调整至需要之喷洒模式，又喷嘴套、调整座与进水座互相搭配，当转动喷嘴套则会同时带动调整座旋转，并使水从第一喷嘴、第二喷嘴或第三喷嘴喷出，进而达到简便变换不同喷洒模式和降低整体结构复杂度之功效。

但上述方案的出水口仍然仅限于端部，无法实现360°的快速清洗，当用于多晶硅反应釜清洗时，清洗效率较低。

发明内容

本发明的目的是针对上述问题，提供一种清洗效率高、清洗效果好的清洗多晶硅反应釜的高压旋转喷杆装置。

为达到上述目的，本发明采用了下列技术方案：一种清洗多晶硅反应釜的高压旋转喷杆装置，包括电机驱动机构，所述的电机驱动机构的输出端连接涡轮组件，所述的涡轮组件啮合蜗杆组件，所述的蜗杆组件包括中空的蜗杆，蜗杆的一端密封连接具有进水口的旋转轴组件，另一端可拆卸的连接喷杆，所述的喷杆的端部密封且喷杆的侧壁设有若干喷嘴。

在上述的清洗多晶硅反应釜的高压旋转喷杆装置中，所述的电机驱动机构通过减速机连接涡轮组件，所述的涡轮组件包括与减速机的输出轴固接的涡轮，涡轮与蜗杆啮合。

在上述的清洗多晶硅反应釜的高压旋转喷杆装置中，所述的旋转轴组件包括中空的旋转轴，旋转轴的一端设有进水口，旋转轴远离进水口的另一端与蜗杆紧密接触且旋转轴与蜗杆的接触部外面套设有密封函组件。

在上述的清洗多晶硅反应釜的高压旋转喷杆装置中，所述的旋转轴和蜗杆外还套设有机座套，且旋转轴的进水口和蜗杆的一端延伸出机座套外，蜗杆延伸出机座套外的一端通过法兰组件连接喷杆。

在上述的清洗多晶硅反应釜的高压旋转喷杆装置中，所述的喷杆的端部用堵头密封。

在上述的清洗多晶硅反应釜的高压旋转喷杆装置中，所述的减速机通过连接件与机座套固定连接，且减速机的输出轴与连接件活动连接，所述的喷杆与连接件活动连接。

与现有的技术相比，本发明的优点在于：结构简单，能进行360°旋转清洗，清洗效率高、速度快。

附图说明

图1是本发明提供的结构示意图。

图中：电机驱动机构1、涡轮组件2、涡轮21、蜗杆组件3、蜗杆31、旋转轴组件4、旋转轴40、进水口41、喷杆5、喷嘴51、堵头52、减速机6、密封函组件7、机座套8、法兰组件9、连接件10。

具体实施方式