[发明专利]一种晶圆切割方法在审
| 申请号： | 201410227571.9 | 申请日： | 2014-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN105448826A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 施林波;陈福成 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;B28D5/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 切割 方法 | ||
1.一种晶圆切割方法，包括：
步骤A1：提供晶圆，在所述晶圆中形成有沟槽；
步骤A2：选用临时填充材料填充所述沟槽，以支撑所述沟槽；
步骤A3：对所述晶圆的背面进行研磨，以露出所述临时填充材料；
步骤A4：去除所述临时填充材料，露出所述沟槽，以完成对所述晶圆的切割。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤A2中所述临时填充材料包括胶粘剂。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述步骤A2中所述临时填充材料选用临时键合胶。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤A2中，选用旋转涂覆的方法在所述沟槽中形成所述临时填充材料。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述旋转涂覆的转数为500-1500rpm，时间为20-60s。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤A2和所述步骤A3之间还包括对所述临时填充材料进行烘焙的步骤，以固化所述临时填充材料。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述烘焙的温度为150-180℃，所述烘焙时间为1-5min。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤A1包括：
步骤A11：提供晶圆；
步骤A12：在所述晶圆上形成图案化的掩膜层，所述掩膜层中形成有沟槽图案；
步骤A13：以所述掩膜层为掩膜，蚀刻所述晶圆，以在所述晶圆中形成所述沟槽；
步骤A14：去除所述掩膜层。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤A1中，选用深反应离子刻蚀的方法形成所述沟槽。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沟槽的深度为100-300um。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤A3包括：
步骤A31：在所述晶圆的正面形成胶带；
步骤A32：反转所述晶圆，对所述晶圆的背面进行研磨。
12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤A4中选用清洗剂覆盖所述晶圆表面3-5min，然后通过旋转的方法去除所述临时填充材料。
13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤A4之后还进一步包括步骤A5：选用异丙醇对所述晶圆进行清洗并甩干。
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