[发明专利]一种晶圆切割方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，具体地，本发明涉及一种晶圆切割方法。

背景技术

在半导体器件制备过程中，在晶圆中形成电路之后，需要对所述晶圆进行切割，所述切割是将晶圆分割为电路体系完整的芯片或者晶粒单位的过程。

目前在深反应离子刻蚀(DRIE)的切割(dicing)工艺中，首先在晶圆正面执行DRIE步骤，以形成深沟槽，然后背部研磨(Grinding)至深反应离子刻蚀沟槽(DRIEtrench)，露出所述沟槽，以达到切割(Dicing)的目的，如图1所示，但是研磨(Grinding)过程中研磨轮(grindingwheel)对晶圆的的切削和压力极易导致深反应离子刻蚀沟槽顶部边缘发生严重的发生破裂(chipping)，如图2所示。

因此，需要对所述方法做进一步的改进，以便消除上述问题，提高器件的良率。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明为了解决现有技术中存在的问题提供了一种晶圆切割方法，包括：

步骤A1：提供晶圆，在所述晶圆中形成有沟槽；

步骤A2：选用临时填充材料填充所述沟槽，以支撑所述沟槽；

步骤A3：对所述晶圆的背面进行研磨，以露出所述临时填充材料；

步骤A4：去除所述临时填充材料，露出所述沟槽，以完成对所述晶圆的切割。

可选地，所述步骤A2中所述临时填充材料包括胶粘剂。

可选地，所述步骤A2中所述临时填充材料选用临时键合胶。

可选地，在所述步骤A2中，选用旋转涂覆的方法在所述沟槽中形成所述临时填充材料。

可选地，所述旋转涂覆的转数为500-1500rpm，时间为20-60s。

可选地，在所述步骤A2和所述步骤A3之间还包括对所述临时填充材料进行烘焙的步骤，以固化所述临时填充材料。

可选地，所述烘焙的温度为150-180℃，所述烘焙时间为1-5min。

可选地，所述步骤A1包括：

步骤A11：提供晶圆；

步骤A12：在所述晶圆上形成图案化的掩膜层，所述掩膜层中形成有沟槽图案；

步骤A13：以所述掩膜层为掩膜，蚀刻所述晶圆，以在所述晶圆中形成所述沟槽；

步骤A14：去除所述掩膜层。

可选地，在所述步骤A1中，选用深反应离子刻蚀的方法形成所述沟槽。

可选地，所述沟槽的深度为100-300um。

可选地，所述步骤A3包括：

步骤A31：在所述晶圆的正面形成胶带；

步骤A32：反转所述晶圆，对所述晶圆的背面进行研磨。

可选地，在所述步骤A4中选用清洗剂覆盖所述晶圆表面3-5min，然后通过旋转的方法去除所述临时填充材料。

可选地，在所述步骤A4之后还进一步包括步骤A5：选用异丙醇对所述晶圆进行清洗并甩干。

本发明为了解决现有技术DRIE切割工艺中研磨造成沟槽轮廓发生碎裂的问题，提供了一种新的DRIE切割方法，在所述方法中在DRIE结束后采用临时键合胶将沟槽(trench)空腔填满，通过温和烘焙(softbake)使之固化，然后进行背部研磨，使得在研磨过程中晶圆边缘得到支持而避免发生碎裂；在研磨完成后，采用对应的溶剂去除临时键合胶，克服了碎裂的问题，提高了切割效率和良率。

附图说明

本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的装置及原理。在附图中，

图1为现有技术中所述晶圆切割剖面示意图；

图2为现有技术中所述晶圆切割后的SEM示意图；

图3为本发明一实施例中所述晶圆切割剖面示意图；

图4为本发明一实施例中所述晶圆切割后的SEM示意图；

图5为本发明一具体实施方式中所述晶圆切的工艺流程图。

具体实施方式

在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。