[发明专利]一种NAND闪存器件以及制备方法、电子装置

权利要求书

1.一种NAND闪存器件的制备方法，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有覆盖低压器件区域的图案化的掩膜层，以露出所述半导体衬底的高压器件区域；

以所述掩膜层为掩膜，蚀刻高压器件区域的半导体衬底至预定高度；

在高压器件区域的半导体衬底上沉积高压氧化物层；

去除所述掩膜层，以露出所述半导体衬底的低压器件区域；

在所述半导体衬底的低压器件区域上沉积低压氧化物层，以与所述高压氧化物层具有相同的高度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜层为依次沉积的衬垫氧化物层和氮化物层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氮化物层的材料选用SiN。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在沉积所述低压氧化物层之前还进一步包括执行预清洗的步骤。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，蚀刻所述高压器件区域的半导体衬底，以去除100-200埃的厚度。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积高压氧化物层至所述掩膜层顶部以下和底部以上。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括在所述高压氧化物层和所述低压氧化物层上形成浮栅结构的步骤。

8.一种基于权利要求1至7之一所述方法制备得到的NAND闪存器件。

9.一种电子装置，包括权利要求8所述的NAND闪存器件。