[发明专利]一种NAND闪存器件以及制备方法、电子装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，具体地，本发明涉及一种NAND闪存器件以及制备方法、电子装置。

背景技术

随着对于高容量的半导体存储装置需求的日益增加，这些半导体存储装置的集成密度受到人们的更多关注，为了增加半导体存储装置的集成密度，现有技术中采用了许多不同的方法，例如通过减小晶片尺寸和/或改变结构单元而在单一晶片上形成多个存储单元，对于通过改变单元结构增加集成密度的方法来说，已经尝试过通过改变有源区的平面布置或改变单元布局来减小单元面积。

NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案，由于NAND闪存以页为单位读写数据，所以适合于存储连续的数据，如图片、音频或其他文件数据；同时因其成本低、容量大且写入速度快、擦除时间短的优点在移动通讯装置及便携式多媒体装置的存储领域得到了广泛的应用。目前，为了提高NAND闪存的容量，需要在制备过程中提高NAND闪存的集成密度。

随着技术的不断发展，现有技术中先进的NAND工艺为了提高器件的击穿电压，通常在所述NAND中选用高压氧化物层作为NAND浮栅中的介质层，所述高压氧化物层的厚度比低压氧化物层的厚度要大6倍，甚至更多，现有技术中所述NAND的结构如图1所示，在制备过程中首先提供半导体衬底101，在所述半导体衬底101上形成高压氧化物层102以及低压氧化物层105，然后在所述高压氧化物层102以及低压氧化物层105上进一步形成浮栅103，最后在所述浮栅103上形成栅极介电层104，然后执行平坦化。

如上所述，由于所述高压氧化物层102的厚度比低压氧化物层105的厚度要大6倍，从而造成在所述半导体衬底101上形成所述氧化物层之后造成一定的高度差，最后在形成浅沟槽的平坦化过程中由于所述高度差，造成在所述低压氧化物上方的氧化物残留。

因此，需要对现有技术中所述NAND的制备方法做进一步的改进，以便消除所述弊端。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种NAND闪存器件的制备方法，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有覆盖低压器件区域的图案化的掩膜层，以露出所述半导体衬底的高压器件区域；

以所述掩膜层为掩膜，蚀刻高压器件区域的半导体衬底至预定高度；

在高压器件区域的半导体衬底上沉积高压氧化物层；

去除所述掩膜层，以露出所述半导体衬底的低压器件区域；

在所述半导体衬底的低压器件区域上沉积低压氧化物层，以与所述高压氧化物层具有相同的高度。

作为优选，所述掩膜层为依次沉积的衬垫氧化物层和氮化物层。

作为优选，所述氮化物层的材料选用SiN。

作为优选，在沉积所述低压氧化物层之前还进一步包括执行预清洗的步骤。

作为优选，蚀刻所述高压器件区域的半导体衬底，以去除100-200埃的厚度。

作为优选，沉积高压氧化物层至所述掩膜层顶部以下和底部以上。

作为优选，所述方法还进一步包括在所述高压氧化物层和所述低压氧化物层上形成浮栅结构的步骤。

本发明还提供了一种通过上述方法制备得到的NAND闪存器件。

本发明还提供了一种电子装置，包括通过本发明所述方法制备得到的NAND闪存器件。

本发明为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种NAND闪存器件的制备方法，所述方法中沉积高压氧化物和低压氧化物之前，首先在要形成高压氧化物层的区域执行蚀刻步骤，去除部分所述衬底，以减小所述高压氧化物和低压氧化物的表面台阶高度(surfacestepheight)。

本发明所述制备方法的优点在于通过所述方法使所述高压氧化物和低压氧化物具有相同的高度，其表面更加平整，更加有利于后续工艺的实施，例如后续实施的浅沟槽隔离CMP(STICMP)以及存储单元刻蚀工艺(CellOpenprocess，COPEN)等，具体地，可以减小所述高压氧化物和低压氧化物的表面台阶高度(surfacestepheight)，以在STICMP中使保留的所述氧化物和所述氮化物层相平衡，同时在COPEN工艺过程中保证所述氧化物和所述氮化物层更加容易去除。

附图说明