[发明专利]一种改进型10‑bit差分电容分段耦合式DAC有效
申请号: | 201410229304.5 | 申请日: | 2014-05-27 |
公开(公告)号: | CN104038223B | 公开(公告)日: | 2017-04-19 |
发明(设计)人: | 李斌;赵达勤;吴朝晖;王昆 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H03M1/10 | 分类号: | H03M1/10 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人: | 蔡茂略 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 改进型 10 bit 电容 分段 耦合 dac | ||
1.一种改进型10-bit差分电容分段耦合式DAC,其特征在于,包括正端次级电容阵列、正端耦合电容、正端主级电容阵列、负端次级电容阵列、负端耦合电容、负端主级电容阵列和采样开关;
所述正端次级电容阵列包括第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容及第七电容,所述第一电容与第二电容串联,所述第二电容的下极板与第一开关连接,所述第一开关的选择端与低参考电压及正端输入电压连接,所述第三电容的下极板与第二开关连接,所述第二开关的选择端与低参考电压及正端输入电压连接,所述第四电容、第五电容、第六电容及第七电容的下极板分别与第三开关、第四开关、第五开关、第六开关连接,所述第三开关、第四开关、第五开关及第六开关的选择端均与低参考电压、高参考电压及正端输入电压连接;
所述正端主级电容阵列包括第十电容、第十一电容、第十二电容、第十三电容、第十四电容、第十五电容及第十六电容,所述第十电容及第十一电容串联连接,所述第十一电容、第十二电容、第十三电容、第十四电容、第十五电容及第十六电容的下极板分别与第七开关、第八开关、第九开关、第十开关、第十一开关及第十二开关连接;所述第七开关、第八开关、第九开关、第十开关、第十一开关及第十二开关的选择端均与低参考电压、高参考电压及正端输入电压连接;
所述正端耦合电容包括串联连接的第八电容及第九电容,所述第八电容的下极板分别与第一电容、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容及第七电容的上极板连接,所述第九电容的上极板分别与第十电容、第十二电容、第十三电容、第十四电容、第十五电容及第十六电容的上极板和采样开关的一端连接;
所述负端次级电容阵列包括第十七电容、第十八电容、第十九电容、第二十电容、第二十一电容、第二十二电容及第二十三电容,所述第十七电容与第十八电容串联连接,所述第十八电容、第十九电容、第二十电容、第二十一电容、第二十二电容及第二十三电容的下极板分别与第十三开关、第十四开关、第十五开关、第十六开关、第十七开关及第十八开关连接,所述第十三开关及第十四开关的选择端均与高参考电压及负端输入电压连接,所述第十五开关、第十六开关、第十七开关及第十八开关的选择端均与低参考电压、高参考电压及负端输入电压连接;
所述负端主级电容阵列包括第二十六电容、第二十七电容、第二十八电容、第二十九电容、第三十电容、第三十一电容及第三十二电容,所述第二十六电容与第二十七电容串联连接,所述第二十七电容、第二十八电容、第二十九电容、第三十电容、第三十一电容及第三十二电容的下极板分别与第十九开关、第二十开关、第二十一开关、第二十二开关、第二十三开关及第二十四开关连接,所述第十九开关、第二十开关、第二十一开关、第二十二开关、第二十三开关及第二十四开关的选择端均与低参考电压、高参考电压及负端输入电压连接;
所述负端耦合电容包括相互串联的第二十四电容及第二十五电容,所述第二十四电容的下极板分别与第十七电容、第十九电容、第二十电容、第二十一电容、第二十二电容及第二十三电容的上极板连接,所述第二十五电容的上极板分别与第二十六电容、第二十八电容、第二十九电容、第三十电容、第三十一电容及第三十二电容的上极板和采样开关的另一端连接。
2.根据权利要求1所述的一种改进型10-bit差分电容分段耦合式DAC,其特征在于,所述第一电容、第二电容及第三电容的容值均为单位电容容值CU,所述第四电容的容值为2CU,第五电容C5的容值为4CU,第六电容C6的容值为8CU,第七电容C7的容值为16CU;
所述第十电容、第十一电容及第十二电容的容值均为单位电容容值CU,所述第十三电容的容值为2CU,第十四电容的容值为4CU,第十五电容的容值为8CU,第十六电容的容值为16CU。
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